Ổn áp mạnh mẽ đơn giản. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Thiết bị chống sét lan truyền

 Bình luận bài viết

Схемотехника стабилизаторов напряжения (СН) постоянного тока весьма разнообразна. Чем лучше характеристики этих устройств, тем, как правило, сложнее их конструкция.

Начинающим больше всего подходят несложные в схемотехническом отношении стабилизаторы напряжения. Предлагаемые варианты построены на базе схемы стабилизатора рис.1. Несмотря на предельную простоту схемы, она весьма надежна в эксплуатации.

Такой СН приходилось использовать в самых разнообразных ситуациях. Он имеет ограничение по току нагрузки, что весьма выгодно, так как позволяет обойтись без дополнительных элементов.

Максимальный ток в нагрузке определяется сопротивлением резистора R3. При уменьшении сопротивления этого резистора величина тока короткого замыкания (Iк.з) увеличивается и, наоборот, увеличение сопротивления этого резистора приводит к уменьшению Iк.з, а значит, и к уменьшению максимального рабочего тока СН (обычно этот ток находится в пределах (0,5...0,7)Iкз). При закорачивании выводов резистора R3 величина тока Iк.з не имеет явного ограничения, поэтому короткое замыкание (КЗ) в нагрузке СН приводит в этом случае к порче транзисторов СН. Этот режим эксплуатации в дальнейшем рассматривать не будем.

При выборе тока Iк.з руководствуются областью безопасной работы (ОБР) транзистора VT2. Таким образом, СН, собранный всего на 11 компонентах, вполне можно применять для питания различной аппаратуры при потреблении тока до нескольких ампер.

Итак, достоинства СН по рис.1: 1) возможность оперативной регулировки выходного стабилизированного напряжения практически от нулевого до напряжения стабилизации стабилитронов VD1 и VD2 посредством переменного резистора R2; 2) возможность изменения тока Iк.з (для этого достаточно вместо R3 установить проволочный переменный резистор типа ПП3 сопротивлением 470 Ом); 3) легкость запуска схемы (нет необходимости в специальных элементах запуска, которые так часто нужны в других схемах СН); 4) возможность простыми способами резко улучшить характеристики СН.

Еще одно немаловажное обстоятельство. Поскольку коллектор мощного регулирующего транзистора VT2 соединен с выходом (плюсовой шиной) СН, то можно закрепить этот элемент непосредственно на металлическом корпусе блока питания (БП). Несложно сконструировать и двуполярный СН по этой схеме. При этом нужны отдельные обмотки сетевого трансформатора и выпрямители, зато коллекторы мощных транзисторов обеих плеч СН можно установить на шасси БП.

Теперь о недостатках, проявляющихся из-за предельной схемотехнической простоты СН. Главный из них - невысокое значение коэффициента стабилизации напряжения (КСН), который обычно не превышает нескольких десятков. Невысоким является также и коэффициент подавления пульсаций. Определяющее влияние на выходное сопротивление СН оказывает коэффициент передачи тока базы примененных экземпляров транзисторов VT1 и VT2. Кроме того, выходное сопротивление сильно зависит от тока нагрузки. Поэтому в данный СН нужно устанавливать транзисторы с максимальным усилением.

Некоторым неудобством является то, что выходное напряжение можно регулировать не от нуля, а приблизительно от 0,6 В. Но в большинстве случаев это несущественно.

На рынке имеется выбор мощных БП, которые весьма схемотехнически "наворочены", поэтому дороги и требуют больших затрат времени при ремонте.

Схема СН по рис.1 позволяет создавать как маломощные БП, так и простые лабораторные без особых затрат времени и средств даже на их изготовление, не говоря уже о ремонтных операциях.

Путем несложных доработок СН по рис.1 удалось значительно улучшить параметры этого устройства. Прежде всего необходимо модернизировать схему параметрического стабилизатора напряжения (элементы R1, VD1, VD2) и в качестве транзистора использовать составной, например, по схеме Дарлингтона. Очень хорошо подходят транзисторы "супербета" типа КТ825 (лучше применять 2Т825). Выходное сопротивление СН для составных транзисторов снижается и не превышает 0,1 Ом (для одиночного транзистора схемы рис.1 выходное сопротивление больше 0,3 Ом в диапазоне токов нагрузки 1...5 А), а при использовании транзистора КТ825 выходное сопротивление можно снизить до 0,02...0,03 Ом в диапазоне токов нагрузки 3...5 А.

При установке транзистора типа КТ825 в СН следует в обязательном порядке увеличить сопротивление ограничительного резистора R3. Если этого не сделать, то величина Iк.з будет практически неограниченной, и при КЗ в нагрузке транзистор КТ825 выйдет из строя. При такой модернизации данная схема СН отлично подходит для питания всевозможных УМЗЧ, приемников, магнитофонов, радиостанций и т.п.

Если нет в наличии транзистора КТ825, то СН можно выполнить по схеме рис.2. Ее основное отличие состоит в добавлении одного транзистора КТ816 и в многократном увеличении сопротивления резистора R4.

Эту схему можно применять для питания мини-электродрели при сверлении отверстий в печатных платах. Поэтому используется не весь возможный диапазон регулирования выходного стабилизированного напряжения, а лишь участок в пределах 12...17 В. В этом интервале обеспечивается оптимальное регулирование мощности на валу двигателя дрели. Резистор R3 устраняет возможность работы транзистора VT1 с отключенной базой при нарушении контакта между движком переменного резистора R2 и его графитовым покрытием. Возможно использование и проволочного резистора R2, такие резисторы более долговечны, чем графитовые. Ток Iк.з для R4 = 20 кОм составляет 5 А, для R4 = 10 кОм - 6,3 А, для R4 = 4,7 кОм - 9 А.

Если соединить два транзистора КТ8102 параллельно (рис.3), то при R4 = 4,7 кОм Iк.з = 10 А. Таким образом, включение в схему дополнительного транзистора КТ816 позволило не только улучшить характеристики СН, но и уменьшить токи через элементы VD4, R4 и VT1. Последнее обстоятельство позволяет применить в качестве VT1 транзистор с большим коэффициентом передачи тока, например, КТ3102Д(Е). А это, в свою очередь, улучшит качество работы СН. Так, например, при сопротивлении резистора R3 = 75 Ом СН рис.1 имел ток значение Iк.з = 5,5 А, для R3 = 43 Ом Iк.з = 7 А и т.д. Как видим, сопротивления резисторов-ограничителей тока Iк.з получаются слишком низкоомными для больших токов нагрузки. При этом имеет место снижение КПД СН и перегрев резистора R3, а также значительный ток через диод VD3 для СН.

Дальнейшее улучшение характеристик СН можно получить изменением схемотехники параметрического стабилизатора (элементы R1, VD1, VD2 в схемах рис.1 и 2). Улучшить параметры этого узла можно по схеме рис.4. На транзисторе VT1 cобран генератор стабильного тока (ГСТ). Поскольку транзистор VT1 включен по схеме с общей базой, схема весьма склонна к самовозбуждению на высоких частотах. Самовозбуждению способствует также отсутствие конденсатора, шунтирующего стабилитроны VD3 и VD4. Поэтому в схему рис.4 такой конденсатор введен (С1).

Результаты измерений для схемы рис.4 приведены в табл.1.

Bảng 1

Более совершенная схема показана на рис.5, а результаты измерений для нее приведены в табл.2.

Bảng 2

Нетрудно заметить, что улучшение КСН весьма существенно при незначительном усложнении схемы.

Недостатком простейших схем ГСТ является невысокий коэффициент стабилизации по току (особенно это касается биполярных вариантов ГСТ). И связано это, в первую очередь, с нестабильностью опорного напряжения, т.е. напряжения стабилизации стабилитрона VD1 (см. рис.4 и 5 в РЭ 9/2001). Ведь при изменении Uвх изменяется и ток через стабилитрон VD1, а это обязательно приводит к изменению напряжения на стабилитроне VD1. Последнее обстоятельство непременно вызывает изменение тока ГСТ и, безусловно, напряжения на выходе ИОН (элементы VD2, VD3 - рис.4 и VD3, VD4 - рис. 5).

Это явление передается дальше по схеме, что и вызывает резкое уменьшение КСН стабилизатора. ИОН по схеме рис. 5 состоит уже из двух отдельно взятых ГСТ. Второй из них собран на полевом транзисторе VТ2. Этот ГСТ стабилизирует ток через стабилитрон VD1, практически устраняя изменение напряжения на последнем (см. табл. 2). Этим обеспечивается резкое увеличение КСН этого ИОН. Стабилитрон VD2 повышает надежность схемы при увеличении напряжения Uвх. Дополнительно стабилизации тока через стабилитроны Д818Е добивались включением еще одного "полевика" в схему ИОН (рис.6). Этот полевой транзистор включен в цепь эмиттера транзистора VТ1, что в несколько раз повышает стабильность тока.

При токе через стабилитроны Д818Е, равном 10 мА, согласно ТУ, имеем наилучшую термостабильность напряжения ИОН.

Имея набор простых схем ИОН, можно очень быстро собирать конструкции БП с очень даже неплохими характеристиками и, самое главное, с высоким соотношением цена/качество. Схема простого лабораторного БП показана на рис. 7.

(bấm vào để phóng to)

БП содержит устройство "мягкого" включения в сеть. В этом случае мы обязательно выигрываем в сроке службы дорогостоящих элементов БП (сетевой трансформатор, фильтрующий конденсатор и диоды выпрямителя, последние, хоть и дешевой ценовой категории, но их "вылет" повлечет за собой вероятность отказов и других радиокомпонентов). При подключении БП к сети сетевой трансформатор Т1 оказывается включенным через сопротивление мощного резистора R2.

Это многократно уменьшает броски тока через элементы Т1, С3, VD1 - VD4. Через несколько секунд срабатывает реле К1 и своими контактами К1.1 замыкает резистор R2. Теперь БП уже полностью подготовлен к эксплуатации. Схема "мягкого" запуска собрана на элементах: R1, R2, VD5-VD8, VD9, С2 и К1. Время задержки подключения Т1 к сети определяется величиной емкости электролитического конденсатора С2 и сопротивлением обмотки реле К1 постоянному току.

С увеличением емкости и сопротивления указанных элементов задержка по времени возрастает. Резистор R1 является надежным ограничителем тока через конденсатор С1 и диодный мостик VD5-VD8. Стабилитрон предохраняет конденсатор С2 и реле К1 от экстренного повышения напряжения на этих элементах (при обрыве обмотки реле К1, например, без стабилитрона, конденсатору С2 явно будет угрожать отказ из-за резкого возрастания напряжения на его выводах).

Все остальные узлы СН уже описаны выше, поэтому в комментариях не нуждаются.

О деталях. В данном БП и в других аналогичных конструкциях я использовал транзисторы КТ8102 с явно сниженным значением максимального напряжения коллектор-эмиттер (Uкэ). Величину Uкэmax, измерял специально разработанным для этих целей измерителем [1].

Отбирал транзисторы КТ8102 для УМЗЧ, но, к сожалению, среди приобретенных транзисторов больше всего было экземпляров со сниженным Uкэmax. Вот эти-то "горе"-транзисторы и устанавливались в БП. В схеме этого БП можно применять мощные транзисторы с Uкэmax≥35 В (минимальный запас всегда должен быть). Вместо транзистора КТ816 можно установить КТ814. Транзистор типа КТ801 можно заменить любым кремниевым транзистором с Uкэ≥30 В и Iк≥0,1 А. Транзистор VT2 - КТ3107 с любым буквенным индексом или КТ361 (Б, Т, Е). Полевой транзистор типа 2П303Д (КП 303Д) можно заменить любым из этой серии (В, Г, Д, Е, И) с начальным током стока (Iс.нач) ≥3 мА.

Если решено обойтись без полевых транзисторов, то лучше воспользоваться ИОН по схеме рис.8. В этой схеме стабилизация напряжения на стабилитроне VD1 производится вторым ГСТ, собранным на транзисторе VT2.

Резисторы R2 и R3 - антипаразитные. Вместо стабилитрона КС133 можно установить КС147 или 5-7 шт. последовательно включенных экземпляров кремниевых диодов, например, КД521, 522, Д220, Д223 и т.д. Число диодов можно и сократить, но при этом придется уменьшать и сопротивление токостабилизирующего резистора в цепи эмиттера транзистора КТ3107К. А это вызовет ухудшение стабильности тока ГСТ. Вместо КС133 устанавливали также и три последовательно соединенных светодиода типа АЛ307, но можно и другие. Поскольку в этой схеме ГСТ ток через них стабилизирован, то и напряжение будет стабильным (о температурных эффектах пока не идет речь). А вот замена стабилитронов Д818Е на Д814 и другие, им подобные, приведет к ухудшению термостабильности ИОН. Поэтому и выбраны стабилитроны типа Д818Е, обладающие малой величиной температурного коэффициента напряжения (ТКН). Если особых требований по ТКН не предъявляется, то в схеме можно применять весьма широкий ассортимент стабилитронов.

Стабилитрон VD11 заменить на Д814 А(Б), КС175 и т.п., а VD9 можно заменить на Д816В. Кремниевые диоды Д223 заменить любыми аналогичными. Диоды мощного выпрямителя VD1- VD4 заменить любыми другими с Uобр≥100 В, например, КД213. Эти диоды устанавливали на трех теплоотводах (два диода - на одном радиаторе).

Площадь двух меньших по размерам теплоотводов 16 см2 (АL, 40х40 мм), третьего 32 см2 (80х40 мм). Диоды мостика VD5-VD8 - любые с Uобр ≥ 400 В и Iпрям ≥ 0,3 А, к примеру, КЦ401Г, КУ402 (А, Б, В, Ж, И), КЦ405 (А, Б, В, Ж, И), КЦ407А и т.д.

Переменные резисторы R4, R10 и R11 - любых типов. Вполне допустимо изменение номи налов этих резисторов (для R4 - уменьшение до 2,2 кОм). При уменьшении сопротивления резистора R4 придется увеличивать ток ГСТ. Резисторы R13 и R14 позволяют устанавливать требуемое значение тока Iк.з.

Мощные проволочные эмиттерные резисторы R5-R7 изготовлены из нихромовой проволоки с погонным сопротивлением около 0,056 Ом/см. Мощный проволочный резистор типа ПЭВ-10. Его можно заменить параллельным включением резисторов, например, МЛТ-2Вт (5-6 шт. сопротивлением 3...3,3 кОм и т.д.).

Реле - РКМ1, исполнение РС4-503.861, сопротивление обмотки постоянному току - 500 Ом. В схеме рис. 7 использованы конденсаторы: С1, С4, С6 - типа К73-17; С2 - К50-16; С3 - К50-18; С5, С7 - К50-12. В особо ответственных местах схемы "электролиты" зашунтированы неэлектролитическими конденсаторами.

Если БП будут использовать для питания ВЧ устройств, то выход СН желательно зашунтировать дополнительными конденсаторами, например, слюдяными (КСО). И конечно, все конденсаторы в этой схеме БП могут быть любых типов с соответствующими параметрами.

О трансформаторе Т1. В качестве сетевого трансформатора использован перемотанный ТС-200. Напряжение на вторичной обмотке 22 В, провод ПЭВ-2 диаметром 1,45 мм. Предохранитель .U - самодельный. Он изготовлен из отрезка медного одножильного проводника (можно обычный провод) ∅ 0,23 мм и длиной 30 мм (пайка).

В качестве теплоотвода для транзисторов КТ8102 использован штатный радиатор от старого усилителя "УЭМИ-50". Если нет необходимой площади теплоотвода (≥ 2000 см2), то поступают следующим образом.

Для изготовления корпуса БП использован листовой металл (дюраль или алюминий). При размерах корпуса 40х20х11 см охлаждающая поверхность только верхней съемной крышки порядка 1240 см2. Такой теплоотвод весьма эффективен; один из транзисторов закреплен и на нижней части корпуса (днище, шасси). Мощные транзисторы закрепляют на отдалении друг от друга. Если их два, то разделяют общую длину верхней части корпуса (в данном случае это 62 см) на три равные части. На расстоянии 20 см и располагают эти мощные транзисторы (на одной линии и в средней части кожуха). Изменив полярность всех полупроводниковых приборов и электролитических конденсаторов в схеме БП на обратную, получают возможность установки в схему СН и мощных распространенных N-PN транзисторов типов: КТ802, КТ803, КТ805, КТ808, КТ812 и т.д., так поступают, когда нужно сконструировать двуполярный БП. Вольтметр и амперметр на схеме не показаны. Когда нужен ток в нагрузке СН более 5 А (имеется ввиду длительная эксплуатация БП в таких режимах), то в качестве трансформатора Т1 применяют ТС-270 (ТСА-270). Вторичную обмотку наматывают проводом диаметром 1,82 мм, что позволяет "вытягивать" из трансформатора ток 6-8 А и более (до 12 А), выбирают Iк.з. = 20 А.

О налаживании. Без ошибок собранная конструкция БП из исправных радиокомпонентов функционирует сразу же после включения в сеть. Необходимо лишь подобрать требуемые сопротивления резисторов R3 и R9. Первый из них определяет ток ГСТ. Необходимо установить ток через стабилитроны VD12 и VD13, равный 10 мА. Резистором R9 устанавливают ток Iк.з. в пределах 5-10 А.

Некоторые экземпляры КТ8102 очень склонны к самовозбуждению (особенно при "размашистом" монтаже). Наличие генерации обнаруживают подключением осциллографа к выходу СН. При этом конденсаторы С6 и С7 временно отпаивают от СН. Исправная схема СН не возбуждается и без них, но, если генерация на ВЧ имеет место, то без этих элементов его легче обнаружить. В цепь базы генерирующего транзистора (это, как правило, один из транзисторов VТ3-VТ5) включают низкоомный резистор сопротивлением 5-10 Ом, а еще лучше - дроссель индуктивностью более 60 мкГц. Чрезмерное сопротивление в цепи базы ухудшит характеристики СН (Rвых возрастет).

Печатная плата для данного БП приведена на рис. 9, со стороны печатных проводников - на рис.10.

В плате предусмотрены две технологические перемычки, предназначенные специально для измерения тока через транзисторы VТ1 и VТ2 (разрезать печатные проводники не понадобиться). Печатная плата схемы "мягкого" включения показана на рис. 11 и 12.

Реле расположено вне платы. Чтобы из-за монтажа не повысилось Rвых, провод, ведущий к клемме "минус" выхода СН, припаивают непосредственно к минусовой обкладке конденсатора С3. К схеме СН этот вывод С3 припаян отдельным проводником. При выборе емкости этого конденсатора руководствуются правилом: 1000-2000 мкА на каждый ампер нагрузочного тока. Конденсаторы С6 и С7 припаяны непосредственно к контактным лепестком выходных зажимов БП.

О возможности модернизации СН. Первое и самое главное: для улучшения характеристик СН необходимо раздельное питание для ИОН и СН. При этом используют отдельную обмотку (или трансформатор) со своими выпрямителями. Это позволяет не только повысить КСН ИОН и всей схемы СН, но и уменьшить количество витков обмотки II мощного выпрямителя, так как выходное напряжение 16,7 В СН достигается при напряжении ІІ обмотки трансформатора Т1 17,5 В. Этим разгружают по мощности регулирующие транзисторы VT3VT5. При длительной эксплуатации СН с током в нагрузке 5 А применяют также и принудительное охлаждение (обдув малогабаритным вентилятором), особенно, если теплоотводы размещены внутри перфорированного корпуса БП. Можно использовать отводы обмотки II с переключением и "привязкой" к резистору R4, но, как показывает практика, это очень неудобно при эксплуатации БП. Кстати, полевые транзисторы в схемах ГСТ можно включать параллельно для получения требуемого тока ГСТ, чтобы не утруждать себя подбором этих проводов.

Очень хорошие результаты получаются при использовании схемы ИОН рис. 8, в котором резисторы R1 и R4 заменили на ГСТ рис. 6 (эмиттерный ГСТ - VT3). При этом стабилитроны VD1 (КС133Д, рис. 8) заменяют на Д818Е, а Uвх повышают до 35 В и более. На вход этого ИОН подают стабилизированное напряжение с простейшей схемы параметрического стабилизатора напряжения (типовая структура - транзистор - стабилитроны - резистор - два конденсатора). Десятки СН, описанных выше, находятся в эксплуатации уже многие годы, доказав этим свою надежность при питании самых разнообразных РЭС.

Văn chương:

1. Зызюк А.Г. Подбор транзисторов для мощных УМЗИ// Радіоаматор. -2001. -№ 6. -С.6.
2. Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Справ. Транзисторы.-М.: РИКЕЛ, Радио и связь, 1995.
3. Голомедов А.В. Полупроводниковые приборы. Справ. Транзисторы малой мощности.-М.: Радио и связь, 1995.
4. Горюнов. Н.Н. Полупроводниковые приборы. Справ. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. 2-е изд.-М.: Энергоатомиздат, 1984

Tác giả: A.G. Zyzyuk

Xem các bài viết khác razdela Thiết bị chống sét lan truyền.

Đọc và viết hữu ích bình luận về bài viết này.

<< Quay lại

Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất:

Da nhân tạo để mô phỏng cảm ứng 15.04.2024

Trong thế giới công nghệ hiện đại, nơi khoảng cách ngày càng trở nên phổ biến, việc duy trì sự kết nối và cảm giác gần gũi là điều quan trọng. Những phát triển gần đây về da nhân tạo của các nhà khoa học Đức từ Đại học Saarland đại diện cho một kỷ nguyên mới trong tương tác ảo. Các nhà nghiên cứu Đức từ Đại học Saarland đã phát triển những tấm màng siêu mỏng có thể truyền cảm giác chạm vào từ xa. Công nghệ tiên tiến này mang đến những cơ hội mới cho giao tiếp ảo, đặc biệt đối với những người đang ở xa người thân. Các màng siêu mỏng do các nhà nghiên cứu phát triển, chỉ dày 50 micromet, có thể được tích hợp vào vật liệu dệt và được mặc như lớp da thứ hai. Những tấm phim này hoạt động như những cảm biến nhận biết tín hiệu xúc giác từ bố hoặc mẹ và đóng vai trò là cơ cấu truyền động truyền những chuyển động này đến em bé. Việc cha mẹ chạm vào vải sẽ kích hoạt các cảm biến phản ứng với áp lực và làm biến dạng màng siêu mỏng. Cái này ... >>

Cát vệ sinh cho mèo Petgugu Global 15.04.2024

Chăm sóc thú cưng thường có thể là một thách thức, đặc biệt là khi bạn phải giữ nhà cửa sạch sẽ. Một giải pháp thú vị mới từ công ty khởi nghiệp Petgugu Global đã được trình bày, giải pháp này sẽ giúp cuộc sống của những người nuôi mèo trở nên dễ dàng hơn và giúp họ giữ cho ngôi nhà của mình hoàn toàn sạch sẽ và ngăn nắp. Startup Petgugu Global đã trình làng một loại bồn cầu độc đáo dành cho mèo có thể tự động xả phân, giữ cho ngôi nhà của bạn luôn sạch sẽ và trong lành. Thiết bị cải tiến này được trang bị nhiều cảm biến thông minh khác nhau để theo dõi hoạt động đi vệ sinh của thú cưng và kích hoạt để tự động làm sạch sau khi sử dụng. Thiết bị kết nối với hệ thống thoát nước và đảm bảo loại bỏ chất thải hiệu quả mà không cần sự can thiệp của chủ sở hữu. Ngoài ra, bồn cầu có dung lượng lưu trữ lớn có thể xả nước, lý tưởng cho các hộ gia đình có nhiều mèo. Bát vệ sinh cho mèo Petgugu được thiết kế để sử dụng với chất độn chuồng hòa tan trong nước và cung cấp nhiều lựa chọn bổ sung. ... >>

Sự hấp dẫn của những người đàn ông biết quan tâm 14.04.2024

Định kiến ​​phụ nữ thích “trai hư” đã phổ biến từ lâu. Tuy nhiên, nghiên cứu gần đây được thực hiện bởi các nhà khoa học Anh từ Đại học Monash đã đưa ra một góc nhìn mới về vấn đề này. Họ xem xét cách phụ nữ phản ứng trước trách nhiệm tinh thần và sự sẵn sàng giúp đỡ người khác của nam giới. Những phát hiện của nghiên cứu có thể thay đổi sự hiểu biết của chúng ta về điều gì khiến đàn ông hấp dẫn phụ nữ. Một nghiên cứu được thực hiện bởi các nhà khoa học từ Đại học Monash dẫn đến những phát hiện mới về sức hấp dẫn của đàn ông đối với phụ nữ. Trong thí nghiệm, phụ nữ được cho xem những bức ảnh của đàn ông với những câu chuyện ngắn gọn về hành vi của họ trong nhiều tình huống khác nhau, bao gồm cả phản ứng của họ khi gặp một người đàn ông vô gia cư. Một số người đàn ông phớt lờ người đàn ông vô gia cư, trong khi những người khác giúp đỡ anh ta, chẳng hạn như mua đồ ăn cho anh ta. Một nghiên cứu cho thấy những người đàn ông thể hiện sự đồng cảm và tử tế sẽ hấp dẫn phụ nữ hơn so với những người đàn ông thể hiện sự đồng cảm và tử tế. ... >>

Tin tức ngẫu nhiên từ Kho lưu trữ Đá khô và sương mù 16.05.2000 Bột đá khô từ lâu đã được sử dụng để phân tán các đám mây, và hiện các nhà khí tượng học Đức đang cố gắng sử dụng nó để phân tán sương mù trên mặt đất. Tháng 50 năm ngoái, những hạt băng khô mịn được rải xuống một sân bay bị bao phủ bởi sương mù dày đặc gần thành phố Cottbus. Lúc đầu, khả năng hiển thị chỉ trở nên tồi tệ. Nhưng một phút sau, những tinh thể băng nhỏ lơ lửng trên không, chẳng mấy chốc đã rơi xuống đất. Sau bốn phút, sương mù trong bán kính XNUMX mét hoàn toàn biến mất. Một thử nghiệm quy mô lớn hơn của loại hình này đang được chuẩn bị trong năm nay.

Tin tức thú vị khác:

▪ Chip di động Wi-Gig

▪ Thế giới có thể chỉ còn lại nếu không có sô cô la

▪ GPU AMD nhanh nhất

▪ Điều khiển sét bằng tia laser

▪ Triển lãm robot trong nước

Nguồn cấp tin tức khoa học và công nghệ, điện tử mới

Tài liệu thú vị của Thư viện kỹ thuật miễn phí:

▪ phần của trang web Thí nghiệm hóa học. Lựa chọn bài viết

▪ bài viết tiệm bánh. Lịch sử phát minh và sản xuất

▪ bài viết Thi thể của ai sau khi bị đốt cháy, đứng thẳng dậy và ngồi xuống trong đống lửa? đáp án chi tiết

▪ Bài báo củ cải. Truyền thuyết, canh tác, phương pháp áp dụng

▪ bài báo Ổn định điện áp cao sử dụng điốt zener silicon điện áp thấp. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

▪ bài viết Chiếu sáng ngoài trời. Thực hiện và bảo vệ mạng chiếu sáng ngoài trời. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

Để lại bình luận của bạn về bài viết này:

Tất cả các ngôn ngữ của trang này

Arabic	Hebrew	Polish
Bengali	Hindi	Portuguese
Chinese	Italian	Spanish
English	Japanese	Turkish
French	Korean	Ukrainian
German	Malay	Vietnamese

Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web

www.diagram.com.ua
2000-2024