|
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese|
ENCYCLOPEDIA VỀ ĐIỆN TỬ TRUYỀN THANH VÀ KỸ THUẬT ĐIỆN Hai máy phát ở tần số 144 MHz. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện
Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Liên lạc vô tuyến dân dụng Предлагаемые вниманию читателей передатчики расчитаны на работу с частотной модуляцией в частотном участке 145,5...145,85 МГц двухметрового диапазона. Они могут применяться и как самостоятельные устройства, так и в качестве составной части радиостанции двухметрового диапазона. Принципиальная схема передатчика мощностью 1 Вт показана на рисунке 1. На операционном усилителе А1 выполнен микрофонный усилитель - частотный модулятор. В качестве микрофона используется электретный микрофон с встроенным усилителем от телефонного аппарата зарубежного производства. Питание на микрофон поступает через резистор R1, который, одновременно выполняет и роль нагрузки встроенного усилителя этого микрофона. С его выхода звуковое напряжение через разделительный конденсатор С1 поступает на модуляционный усилитель на ОУ А1. Размах выходного неискаженного напряжения этого усилителя достигает 70% от напряжения питания. Это выходное напряжение, через резистор R7, выполняющий роль развязывающего элемента между ВЧ и НЧ трактами, поступает на варикап VD1 и изменяет его емкость в соответствии с формой низкочастотного сигнала.
Задающий генератор выполнен на транзисторе VT1, он работает на третьей механической гармонике кварцевого резонатора Q1 на 16,2 МГц (можно использовать резонатор и на 16 МГц, но частотный диапазон в этом случае опустится до отметки 144 МГц). Коллекторный контур L2C9 настроен на частоту 48,6 МГц. Для получения необходимой частоты вслед за задающим генератором включен каскад на транзисторе VT2, выполняющий роль утроителя частоты. Сигнал на него поступает через индуктивную связь между контурами L2C9 и L3C11, оси катушек этих контуров расположены на расстоянии 7 мм друг от друга, что обеспечивает необходимую связь между ними. Ток в коллекторной цепи этого транзистора имеет импульсный характер, и контур, включенный в его коллекторной цепи, и настроенный на частоту резонанса 145,7 МГц возбуждается на третьей гармоники входного импульсного сигнала. В результате в контуре L4C12 имеется синусоидальное высокочастотное напряжение, которое через катушку связи L5 поступает на двухкаскадный усилитель мощности, построенный на транзисторах VT3 и VT4. Причем транзистор VT3 работает с напряжением смещения на базе, что обеспечивает необходимое предварительное усиление этого ВЧ сигнала, прежде чем он поступит на выходной каскад усиления мощности, выполненный на транзисторе VT4, работающем без начального смещения. Выходной контур L9C21 настроен на работу с антенной имеющей 75-омный импенданс. Частотная модуляция, а также перестройка в пределах выбранного частотного участка, производится в первом каскаде задающего генератора на транзисторе VT1. Последовательно с кварцевым резонатором включена LC-цепь, состоящая из катушки L1 и комплексной емкости элементов VD1, С4, С5. Эта цепь осуществляет небольшой сдвиг частоты резонанса резонатора, и степень этого сдвига зависит, как от индуктивной, так и от емкостной составляющей. Путем подстройки L1 выбирается такая индуктивная составляющая, при которой, при среднем положении ротора переменного конденсатора С5 передатчик излучает сигнал частотой 145,7 МГц. Перестройка в пределах 145,5...145,85 МГц производится изменением емкостной составляющей при помощи конденсатора С5. Частотная модуляция осуществляется дополнительным изменением емкостной составляющей при помощи варикапа V01. Подстроечные конденсаторы - типа КПК с керамическим диэлектриком, на емкость от 4...15 пФ до 6...25 пФ, но лучше если будут подстроечные конденсаторы с воздушным диэлектриком, однако, в этом случае, для исключения выхода каскадов передатчика из строя из-за возможного замыкания между обкладками, нужно будет последовательно с этими конденсаторами включить постоянные керамические на несколько тысяч пФ. Транзистор VT4 может быть КТ904 или КТ907, транзистор VT3 - КТ606 или КТ904. Если использовать пару КТ904 (VT3) и КТ907 (VT4) и повысить напряжение питания этих каскадов до 20В можно получить мощность около 2-3 Вт, но потребуется подобрать номинал R13 и число витков L5 так, чтобы получить максимальную неискаженную мощность на выходе. Конденсатор С5 - с воздушным диэлектриком, типа КПВ, его минимальная емкость может быть 5-15 пФ, а максимальная, соответственно, 70-150 пФ. Транзисторы КТ368 можно заменить на КГ 316, но результат будет хуже. Катушки L1-L3 наматываются на полистироловых каркасах диаметром 4-5 мм с подстроечными сердечниками МП-100 (из высокочастотного феррита). L1 содержит 7 витков, L2 - 10 витков, и L3 тоже 10 витков, но L3 имеет отвод от второго витка, считая сверху (по схеме). Намотка проводом ПЭВ 0,2-0,3. Катушки L4 и L5 имеют такие же каркасы, но ферритовый сердечник в них заменен на отрезок толстого алюминиевого провода (от электропроводки) или латунного стержня. L4 содержит 4 витка провода диаметром 0,6-1мм, а L5 наматывается поверх L4 и содержит 2-3 витка провода ПЭВ 0,2-0,3. Катушки усилителя мощности намотаны на керамических каркасах диаметром 10 мм без сердечников (можно выполнить их и бескаскасным способом). Намотка ведется посеребрянным (или луженным, что хуже) проводом диаметром около 0,6-1 мм. L6 и L8 одинаковые, они содержат по 4 витка, распределенных по длине 15 мм. L7 и L9 также одинаковые, и содержат по 3 витка распределенных по длине 10 мм. Дроссель DL4 намотан на резисторе R15, он содержит 35 витков провода ПЭВ 0,12. Дроссели DL1-DL3 намотаны на кольцах К7Х4ХЗ из феррита 400НН (или на других кольцах близкого размера из феррита 100НН-600НН), они содержат по 15 витков провода ПЭВ 0,2-0,3. Монтаж передатчика ведется объемным способом в коробе с отсеками по числу каскадов, спаянном из жести или латуни. Короб укреплен на массивной алюминиевой пластине, которая выполняет роль радиатора для транзисторов VT4 и VT3. Весь монтаж ведется на контактных лепестках и монтажных панелях, а также на выводах мощных транзисторов. Катушки L2 и L3 закреплены на двух общих гетинаксовых пластинах имеющих отверстия по диаметру каркасов катушек. Расстояния между центрами отверстии в пластине равно 7 мм. Таким образом, когда эти пластины надеваются на каркасы катушек, они жестко фиксируют катушки относительно друг друга на расстоянии между осями 7 мм, обеспечивая необходимую индуктивную связь. Схема второго передатчика показана на рисунке 2 Он развивает мощность на 75-омной нагрузке около 3-4 Вт. Главное его отличие в том что используется высокочастотный кварцевый резонатор на частоту 48,4 МГц.
Микрофонный усилитель и система модуляции и настройки не отличается от аналогичного узла предыдущего передатчика. Задающий генератор выполнен на транзисторе VT1, в его базовой цепи включен кварцевый резонатор, частота резонанса которого в три раза ниже частоты передаваемого сигнала. Усилитель мощности двухкаскадный на транзисторах VT2 и VT3, они оба работают без начального смещения. Контуры L4C9 и L7C11 настроены на частоту равную третьей гармонике кварцевого резонатор - 145,2, эта частота является средней частотой диапазона. Возможно использование резонатора на 48,6 МГц, при этом частота будет равна 145,8 МГц. Катушка L1 намотана на таком же каркасе, как катушки задающего генератора передатчика, схема которого изображена на рисунке 1. Она содержит 5 витков ПЭВ 0,2-0,3. Все остальные катушки бескаркасные, наматываются посеребренным проводом диаметром 0,7-1 мм. L3 имеет диаметр 6 мм, длину намотки 20 мм и число витков 8, L4 имеет диаметр 8 мм. длину намотки 7 мм и число витков 3, L6 имеет диаметр 6 мм длину намотки б мм и число витков 3, L9 - диаметр 10 мм, длина 12 мм, число витков 3. L9 - диаметр 6 мм, длина 5 мм, число витков 1,5, L10 - диаметр 10 мм, длина 80 мм. число витков 4. Катушки L5, L2 и L8 - дроссели, намотанные на постоянных резисторах МЛТ-0,5 сопротивлением не менее 100 кОм, они содержат по 30 витков провода ПЭВ 0,12. Конструкция передатчика такая же как и выполненного по предыдущей схеме. Монтаж объемный в экранированном коробе. Детали аналогичные. Tác giả: Andreev S.; Xuất bản: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
Da nhân tạo để mô phỏng cảm ứng
15.04.2024 Cát vệ sinh cho mèo Petgugu Global
15.04.2024 Sự hấp dẫn của những người đàn ông biết quan tâm
14.04.2024
▪ Freecom ra mắt thiết bị USB có kích thước bằng thẻ tín dụng ▪ Bo mạch chủ A88W 3D FM2 + Hi-Fi cho bộ xử lý AMD ▪ Trung tâm dữ liệu thử nghiệm dưới nước của Microsoft ▪ Bánh răng nhựa thay vì bánh răng kim loại
▪ phần trang web Chống sét. Lựa chọn bài viết ▪ bài viết Tác động tiêu cực của bức xạ mặt trời. Những điều cơ bản của cuộc sống an toàn ▪ bài viết Trái đất có thể gặp sao chổi không? đáp án chi tiết ▪ bài báo sơn tra Đức. Truyền thuyết, canh tác, phương pháp áp dụng ▪ bài viết Chỉ thị bức xạ. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện ▪ bài viết Máy thu VHF trong gói Marlboro. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện
Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web
www.diagram.com.ua |
Xem các bài viết khác razdela 
Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất:
Tất cả các ngôn ngữ của trang này