Thiết bị nối đất để lắp đặt điện có điện áp trên 1 kV trong mạng có trung tính cách ly

Thư viện kỹ thuật miễn phí

ENCYCLOPEDIA VỀ ĐIỆN TỬ TRUYỀN THANH VÀ KỸ THUẬT ĐIỆN
Thư viện miễn phí / Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Thợ điện

Phần 1 Quy tắc chung

Các biện pháp nối đất và bảo vệ an toàn điện. Thiết bị nối đất để lắp đặt điện có điện áp trên 1 kV trong mạng có trung tính cách ly

Thư viện kỹ thuật miễn phí

Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Quy tắc lắp đặt hệ thống điện (PUE)

Bình luận bài viết

1.7.96. Trong các hệ thống lắp đặt điện có điện áp trên 1 kV của mạng có trung tính cách ly, điện trở của thiết bị nối đất trong quá trình dòng điện chạm đất định mức đi qua vào bất kỳ thời điểm nào trong năm, có tính đến điện trở của dây dẫn nối đất tự nhiên, phải bằng

R ≤ 250 / tôi

nhưng không quá 10 Ohm, trong đó I là dòng điện chạm đất danh định, A.

Sau đây được coi là dòng điện định mức:

1) trong các mạng không có bù dòng điện dung - dòng điện chạm đất;

2) trong các mạng có bù dòng điện dung:

đối với thiết bị nối đất có kết nối thiết bị bù, dòng điện bằng 125% dòng định mức của thiết bị mạnh nhất trong số các thiết bị này;
đối với các thiết bị nối đất mà các thiết bị bù không được kết nối, dòng điện chạm đất truyền qua mạng này khi thiết bị bù mạnh nhất bị tắt.

Dòng điện chạm đất danh định phải được xác định cho dòng điện của sơ đồ mạng có thể hoạt động, trong đó dòng điện này có giá trị lớn nhất.

1.7.97. Khi sử dụng thiết bị nối đất đồng thời cho các hệ thống lắp đặt điện có điện áp đến 1 kV với trung tính cách ly, phải đáp ứng các điều kiện của 1.7.104.

Khi sử dụng thiết bị nối đất đồng thời để lắp đặt điện có điện áp lên đến 1 kV với trung tính nối đất chắc chắn, điện trở của thiết bị nối đất không được vượt quá giá trị quy định trong 1.7.101, hoặc vỏ bọc và áo giáp của ít nhất hai dây cáp cho điện áp đến hoặc trên 1 kV hoặc cả hai điện áp phải được gắn vào thiết bị nối đất, với tổng chiều dài của các dây cáp này ít nhất là 1 km.

1.7.98. Đối với các trạm biến áp có điện áp 6-10 / 0,4 kV, phải chế tạo một thiết bị nối đất chung, thiết bị này phải được kết nối với:

1) trung tính của máy biến áp ở phía có điện áp đến 1 kV;

2) vỏ máy biến áp;

3) vỏ bọc và áo giáp kim loại của cáp có điện áp đến 1 kV trở lên;

4) mở các bộ phận dẫn điện của hệ thống điện có điện áp từ 1 kV trở lên;

5) các bộ phận dẫn điện của bên thứ ba.

Xung quanh khu vực chiếm đóng của trạm biến áp, ở độ sâu ít nhất 0,5 m và ở khoảng cách không quá 1 m tính từ mép móng của tòa nhà trạm biến áp hoặc tính từ mép móng của thiết bị lắp đặt lộ thiên, phải đặt dây dẫn (mạch) nối đất nằm ngang kín nối với thiết bị nối đất.

1.7.99. Thiết bị nối đất của mạng có điện áp trên 1 kV có trung tính cách ly, kết hợp với thiết bị nối đất của mạng có điện áp trên 1 kV có trung tính nối đất hiệu quả thành một thiết bị nối đất chung cũng phải đáp ứng các yêu cầu của 1.7.89 - 1.7.90.

Xem các bài viết khác razdela Quy tắc lắp đặt hệ thống điện (PUE).

Đọc và viết hữu ích bình luận về bài viết này.

<< Quay lại

Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất:

Một cách mới để kiểm soát và điều khiển tín hiệu quang 05.05.2024

Thế giới khoa học và công nghệ hiện đại đang phát triển nhanh chóng, hàng ngày các phương pháp và công nghệ mới xuất hiện mở ra những triển vọng mới cho chúng ta trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Một trong những đổi mới như vậy là sự phát triển của các nhà khoa học Đức về một phương pháp mới để điều khiển tín hiệu quang học, phương pháp này có thể dẫn đến tiến bộ đáng kể trong lĩnh vực quang tử học. Nghiên cứu gần đây đã cho phép các nhà khoa học Đức tạo ra một tấm sóng có thể điều chỉnh được bên trong ống dẫn sóng silica nung chảy. Phương pháp này dựa trên việc sử dụng lớp tinh thể lỏng, cho phép người ta thay đổi hiệu quả sự phân cực của ánh sáng truyền qua ống dẫn sóng. Bước đột phá công nghệ này mở ra triển vọng mới cho việc phát triển các thiết bị quang tử nhỏ gọn và hiệu quả có khả năng xử lý khối lượng dữ liệu lớn. Việc điều khiển phân cực quang điện được cung cấp bởi phương pháp mới có thể cung cấp cơ sở cho một loại thiết bị quang tử tích hợp mới. Điều này mở ra những cơ hội lớn cho ... >>

Bàn phím Primium Seneca 05.05.2024

Bàn phím là một phần không thể thiếu trong công việc máy tính hàng ngày của chúng ta. Tuy nhiên, một trong những vấn đề chính mà người dùng gặp phải là tiếng ồn, đặc biệt là ở các dòng máy cao cấp. Nhưng với bàn phím Seneca mới của Norbauer & Co, điều đó có thể thay đổi. Seneca không chỉ là một bàn phím, nó là kết quả của 5 năm phát triển để tạo ra một thiết bị lý tưởng. Mọi khía cạnh của bàn phím này, từ đặc tính âm thanh đến đặc tính cơ học, đều được xem xét và cân bằng cẩn thận. Một trong những tính năng chính của Seneca là bộ ổn định im lặng, giúp giải quyết vấn đề tiếng ồn thường gặp ở nhiều bàn phím. Ngoài ra, bàn phím còn hỗ trợ nhiều độ rộng phím khác nhau, thuận tiện cho mọi người dùng. Mặc dù Seneca vẫn chưa có sẵn để mua nhưng nó được lên kế hoạch phát hành vào cuối mùa hè. Seneca của Norbauer & Co đại diện cho các tiêu chuẩn mới trong thiết kế bàn phím. Cô ấy ... >>

Khai trương đài quan sát thiên văn cao nhất thế giới 04.05.2024

Khám phá không gian và những bí ẩn của nó là nhiệm vụ thu hút sự chú ý của các nhà thiên văn học từ khắp nơi trên thế giới. Trong bầu không khí trong lành của vùng núi cao, cách xa ô nhiễm ánh sáng thành phố, các ngôi sao và hành tinh tiết lộ bí mật của chúng một cách rõ ràng hơn. Một trang mới đang mở ra trong lịch sử thiên văn học với việc khai trương đài quan sát thiên văn cao nhất thế giới - Đài thiên văn Atacama của Đại học Tokyo. Đài quan sát Atacama nằm ở độ cao 5640 mét so với mực nước biển mở ra cơ hội mới cho các nhà thiên văn học trong việc nghiên cứu không gian. Địa điểm này đã trở thành vị trí cao nhất cho kính viễn vọng trên mặt đất, cung cấp cho các nhà nghiên cứu một công cụ độc đáo để nghiên cứu sóng hồng ngoại trong Vũ trụ. Mặc dù vị trí ở độ cao mang lại bầu trời trong xanh hơn và ít bị nhiễu từ khí quyển hơn, việc xây dựng đài quan sát trên núi cao đặt ra những khó khăn và thách thức to lớn. Tuy nhiên, bất chấp những khó khăn, đài quan sát mới mở ra triển vọng nghiên cứu rộng lớn cho các nhà thiên văn học. ... >>

Tin tức ngẫu nhiên từ Kho lưu trữ

Một cách tiếp cận mới để hình thành thủy tinh 17.03.2018

Được biết, sét và núi lửa có một đặc điểm giống nhau - chúng có thể tạo ra thủy tinh. Đây chính xác là những gì con người đã sử dụng trong các quan sát của họ, tạo ra thủy tinh từ silicon dioxide từ thời cổ đại nhất, nhưng sau này quá trình công nghiệp hóa đã dạy chúng ta cách chế tạo nó dựa trên boron, polyme và kim loại. Tuy nhiên, một nhóm các nhà nghiên cứu quốc tế đã tạo ra một dòng thủy tinh mới dựa trên kim loại và các hợp chất hữu cơ, khi kết hợp, chúng gần như bắt chước hoàn toàn hành vi của silicon trong quá trình hình thành thủy tinh, trong khi không có những nhược điểm chính của nó, chẳng hạn như kết tinh nhanh và nhiệt độ giảm mạnh.

Bản thân thủy tinh là một chất lỏng được đóng băng như một vật liệu rắn ở dạng tinh thể nano, ở đó điều rất quan trọng là phải nhanh chóng đánh bại quá trình kết tinh - điều này theo truyền thống được sử dụng để làm lạnh nhanh. Tuy nhiên, các chuyên gia đã quyết định đi xa hơn nữa và thay thế silicon bằng kẽm, cũng nằm ở cấp độ tinh thể như một hợp chất tứ diện, giống như silicon. Nhưng không giống như hợp chất silicon, nơi các nguyên tử oxy nằm ở hai bên, dự án kẽm sử dụng các nguyên tử imidazolate và benzimidazolate - những phân tử có nguồn gốc đặc biệt thay thế oxy.

Vì vậy, các chuyên gia đã phát triển một hợp kim kẽm đặc biệt gọi là ZIF-62, có những đặc tính không thể làm ngạc nhiên. Đặc biệt, nó đòi hỏi thời gian làm lạnh ngắn hơn nhiều và nhiệt độ thấp hơn để tránh quá trình kết tinh và do đó tạo thành thủy tinh, và điều này làm cho quá trình này rẻ hơn một chút.

Một bài báo với kết quả khả quan của dự án đã được xuất bản trên tạp chí khoa học Science Advances, nơi các chuyên gia giải thích tất cả những điều tinh tế liên quan đến việc áp dụng phương pháp mới này trong việc hình thành thủy tinh. Tất nhiên, họ vẫn phải tiến hành thêm một số thử nghiệm và thử nghiệm để phát hiện ra các lỗ hổng tiềm ẩn và các tính năng mới của hợp chất kẽm, nhưng họ tin tưởng rằng phương pháp mới sẽ giúp quá trình hình thành thủy tinh dễ dàng hơn và rẻ hơn nhiều trong tương lai gần. .

Tin tức thú vị khác:

▪ Tìm kiếm graviton

▪ Một cái buồng có kích thước bằng một hạt muối

▪ Công nghệ in vật thể XNUMXD từ chất lỏng

▪ NLAS2066 - công tắc tương tự để tách các đường USB và logic tiêu chuẩn

▪ Nước có thể có một số trạng thái lỏng

Nguồn cấp tin tức khoa học và công nghệ, điện tử mới

Tài liệu thú vị của Thư viện kỹ thuật miễn phí:

▪ phần của trang web Giao thông cá nhân: đất, nước, không khí. Lựa chọn bài viết

▪ bài báo Giải phẫu bệnh lý. Giường cũi

▪ Tại sao sao chổi biến mất? đáp án chi tiết

▪ bài viết chàm Guatemala. Truyền thuyết, canh tác, phương pháp áp dụng

▪ bài viết Keo chrome. Công thức nấu ăn đơn giản và lời khuyên

▪ bài viết Dấu hoa thị vụng về. bí mật tập trung

Để lại bình luận của bạn về bài viết này:

Tất cả các ngôn ngữ của trang này

Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web