ENCYCLOPEDIA VỀ ĐIỆN TỬ TRUYỀN THANH VÀ KỸ THUẬT ĐIỆN Cung cấp năng lượng cho chip điều khiển PWM và trình điều khiển cổng với điện áp ổn định. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Thiết bị chống sét lan truyền Во многих практических конструкциях автомобильных ПН микросхема ШИМ контроллера (например TL494, SG3524 и т.п.) питается непосредственно от входа REMOTE (смотри описания ПН усилителей MTX и Jensen) через прямо включенный защитный диод. При наличии внешнего драйвера затвора (инвертора, повторителя) - ток потребления от шины REMOTE не превышает 20 мА и таким образом укладывается в возможности любого головного устройства. При работе ИС контроллера напрямую на затворы МДП ключей ее средний ток потребления возрастает до 50-80 мА (тепловой предел для ИС в DIP16 корпусе - 1 Вт при 45С). Что также вряд ли способно перегрузить источник REM-сигнала. Тогда зачем выдумывать отдельный стабилизатор или ключ для питания ИС контроллера? А вот зачем. Затвор МДП-транзистора - это просто нелинейная емкость. Причем нелинейна она только до момента полного открытия канала (насыщения), далее ее можно уверенно считать простым конденсатором. В зависимости от температуры, обычный МДП транзистор начинает открываться при Uзи=2-4В, насыщение - в зависимости от Т, Iс и Uси происходит при напряжении порядка 5-10В. Например, для IRFI 1010N (прекрасный низкоомный ключ) при 25С предельный паспортный ток 49А достигается при 6В, при 175С - при 6.5В на затворе (заряд на затворе около 60 нКл). Если же напряжение на затворе продолжает расти, то ... предел по току и тепловой мощности от этого точно не изменится. Зато на затворе появится избыточный положительный заряд - порядка 6 нКл на каждый вольт, и при +12В на затворе достигает 100 нКл. А вот при закрытии транзистора избыточный заряд нам точно не нужен. Ведь пока сквозь драйвер затвора не стекут на землю те самые 100-60=40 нКл "лишнего" заряда, транзистор все еще открыт в полную силушку. Это и ненужная задержка выключения, и лишняя нагрузка на драйвер затвора (вынуждающая ставить неоправданно мощные повторители). Давайте прикинем. Напряжение бортсети на ходу - 14В. На выходе Remote - 13В. Минус 0.6В на диоде = 12.4В питания микросхемы. Если ее выходные транзисторы (Дарлингтоны) включены эмиттерным повторителем, импульс на выходе достигает 11.0В. Внешний повторитель отнимет еще 1В. Итого - 11В без внешнего драйвера, 10В с таковым. Избыток налицо. Что же делать? Питать всю цепь возбуждения (ИС+драйверы) от линейного стабилизатора, дающего ровно столько вольт питания сколько нужно. А нужно: 7В на затворе + 0.7В на повторителе + 1.3В на транзисторе ИС = итого 9В. А чтоб с запасом было - 10В. Причем желательно ток питания брать от АКБ, а включать стабилизатор - слабым током от шины Remote. И чтоб поменьше лишних деталей. Для решения задачи идеально подходит LM2931, советский аналог 1156ЕН5. Но только в 5-выводном транзисторном корпусе! (есть варианты с фиксированным Uвых, с 3 выводами). Эта схема специально разработана для автомобильного примения. Особенности по сравнению с обычными 3-выводными стабилизаторами: - Регулировка выходного напряжения 1.2-36В, выходной ток до 100 мА. - Падение напряжения при токе 100 мА - типовое 300 мВ, максимум 600 мВ. - Отключение нагрузки при переполюсовке питания и аварийном превышении питания (защита от импульсов -50 ... +60В, постоянного напряжения -30...+36В). - Дистанционный запуск положительным логическим сигналом (требуется 1 внешний n-p-n транзистор, управляющий ток до 50 мкА). - Ток потребления не выше 1 мА Вот так выглядит простейшее типовое включение: Выходное напряжение задается делителем R4/R5 : U=1.2В * (R4+R5) / R4. Значение R4 (на нем падает 1.2В опорного напряжения) - до 51 кОм, можно и меньше. R3 - от 10 до 51 кОм. Транзистор - любой маломощный с малым обратным током коллектора. ИС включается, когда напряжение на входе Adj (коллектор Q1) падает ниже 2В. Конденсаторы, показанные на схеме, обеспечивают устойчивость стабилизатора и должны располагаться непосредственно рядом с выводами ИС. Импульсную нагрузку (ШИМ контроллер, повторители) - шунтировать локальными керамическими конденсаторами. Входной транзистор можно заменить на транзисторный оптрон (с малым током утечки), с подходящим балластным резистором в первичной цепи - тогда гарантирована устойчивость от помех по управляющему входу. Văn chương
Xuất bản: klausmobile.narod.ru Xem các bài viết khác razdela Thiết bị chống sét lan truyền. Đọc và viết hữu ích bình luận về bài viết này. Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất: Da nhân tạo để mô phỏng cảm ứng
15.04.2024 Cát vệ sinh cho mèo Petgugu Global
15.04.2024 Sự hấp dẫn của những người đàn ông biết quan tâm
14.04.2024
Tin tức thú vị khác: ▪ Bộ xử lý Qualcomm Snapdragon G3x Gen1 ▪ Vật liệu thông minh dựa trên da cá mập ▪ Giá trị của khối lượng graviton đã được chỉ định ▪ Cốt lết nhân tạo được trồng và ăn Nguồn cấp tin tức khoa học và công nghệ, điện tử mới
Tài liệu thú vị của Thư viện kỹ thuật miễn phí: ▪ phần trang web Những khám phá khoa học quan trọng nhất. Lựa chọn bài viết ▪ bài báo Automedon. biểu thức phổ biến ▪ bài viết Ai đã thực hiện ca cấy ghép tim đầu tiên cho con người và khi nào? đáp án chi tiết ▪ Bài báo công nhân bán lẻ. Hướng dẫn tiêu chuẩn về bảo hộ lao động ▪ bài viết UMZCH đơn giản trên chip TDA7294. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện
Để lại bình luận của bạn về bài viết này: Tất cả các ngôn ngữ của trang này Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web www.diagram.com.ua |