Thiết bị bảo vệ dây tóc CRT. Sơ đồ, mô tả

Thư viện kỹ thuật miễn phí

ENCYCLOPEDIA VỀ ĐIỆN TỬ TRUYỀN THANH VÀ KỸ THUẬT ĐIỆN
Thư viện miễn phí / Sơ đồ của các thiết bị vô tuyến-điện tử và điện

Thiết bị bảo vệ dây tóc CRT. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

Thư viện kỹ thuật miễn phí

Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Truyền hình

Bình luận bài viết

Phân tích sự phát triển mạch điện của thiết bị bảo vệ dây tóc của bộ gia nhiệt cathode (CPU) của ống tia âm cực (CRT), chủ yếu là ống hình ảnh truyền hình, người ta không thể không chú ý đến việc thiếu các giải pháp kỹ thuật mới trong vài năm qua . Vấn đề chính vẫn là đáp ứng toàn bộ các yêu cầu đối với một thiết bị bảo vệ, vì việc cải thiện một số chỉ số có liên quan đến sự suy giảm của các chỉ số khác. Điều này cho phép chúng tôi rút ra kết luận sau: khả năng của công nghệ mạch dựa trên việc sử dụng cơ sở phần tử truyền thống cho loại thiết bị này trên thực tế đã cạn kiệt.

Sự phát triển của thiết bị được trình bày trong ấn phẩm này dựa trên việc triển khai các khả năng của cơ sở phần tử đã xuất hiện trong những năm gần đây. Để đảm bảo bảo vệ hiệu quả dây tóc CPU, tăng độ tin cậy, thu nhỏ và loại bỏ nhu cầu điều chỉnh thiết bị, cần có các giải pháp mạch cho phép:

giảm số lượng, khối lượng và trọng lượng của các phần tử mạch điện;
làm mà không cần nguồn điện bổ sung;
giảm sinh nhiệt;
xây dựng thiết bị trên cơ sở phần tử có độ tin cậy cao hơn.

Ngoài ra, phạm vi ứng dụng của thiết bị bảo vệ đã được mở rộng - không có thay đổi đáng kể về mạch, nó có thể được sử dụng trong bất kỳ thiết bị nào để hiển thị thông tin hình ảnh dựa trên việc sử dụng CRT, ví dụ như trong màn hình video, màn hình: máy tính, máy chiếu video kinescope, máy hiện sóng, v.v. [1].

Các đặc điểm nổi bật của thiết bị được đề xuất là: - sử dụng phần tử phi tuyến được thiết kế đặc biệt để làm dịu dòng điện đi vào của dây tóc CRT - một nhiệt điện trở được làm nóng trực tiếp mạnh mẽ với hệ số nhiệt độ âm; - sử dụng rơle không tiếp xúc trạng thái rắn làm phần tử chuyển mạch; - khóa CRT trong khi CPU đang nóng lên.

Tiếp theo, hoạt động của thiết bị được xem xét bằng ví dụ về bảo vệ CPU của kinescope 61LK5Ts.

(bấm vào để phóng to)

Sơ đồ nguyên lý của thiết bị được thể hiện trong hình và bao gồm nhiệt điện trở R3, rơle DA2, bộ điều khiển rơle DA2 trên chip DA1.1 và bộ tạo tín hiệu xóa kinescope trên chip DA1.2. Điện trở nhiệt R3 loại TP15-16-0,8 được nối nối tiếp với mạch dây tóc của CPU kinescope và được thiết kế để loại bỏ sự xâm nhập của dòng điện dây tóc khi TV được bật. Ở trạng thái lạnh điện trở của nó là 16 ohm, điện trở của dây tóc nguội của bộ tản nhiệt CPU Ro là khoảng 3 ohm. Trong trường hợp này, dòng khởi động là

Io= công suất khởi động Po=HoIo=6,3x0,33=2,1 W.

Để so sánh: dòng khởi động của máy soi kinescope không được bảo vệ

I=6,3/3=2,1A,

công suất khởi động Po=6,3 2,1=13,23 W.

Như vậy, nhiệt điện trở làm giảm công suất khởi động hơn 6 lần. Nếu chúng ta tính đến việc trong mạch dây tóc của CPU kinescope của bất kỳ TV hiện đại nào đã có sẵn một bộ phận giới hạn dòng điện - điện trở hoặc điện cảm, thì thực tế công suất khởi động giảm đi 7...8 lần.

Rơle trạng thái rắn DA2 được thiết kế để bỏ qua nhiệt điện trở R3 sau khi nó đạt đến chế độ danh định. Tín hiệu chuyển mạch rơle được tạo ra bởi bộ rung đơn DA1.1, được kích hoạt khi bật điện áp nguồn. Khoảng thời gian dòng điện dây tóc chạy qua điện trở nhiệt R3 được thiết lập bằng cách chọn hằng số thời gian của mạch R1, C1 và được tính theo công thức t[c]=1.1R [Mohm]C[uF].

Điện áp trống của kinescope trong thời gian khởi động CPU được tạo ra bởi DA1.2 một lần thứ hai, hằng số thời gian được đặt bởi mạch R4, C3 và được tính toán theo cách tương tự. Điện áp từ đầu ra DA1.2 được cung cấp cho bộ phận làm trống kinescope, mạch của nó được xác định bởi kiểu TV và không được đưa ra ở đây vì các tùy chọn của nó được thảo luận chi tiết trong [3]. Tụ điện C2, C4 giảm thiểu tối đa ảnh hưởng của nhiễu và gợn sóng dọc theo mạch điện đến hoạt động của bộ dao động đơn. Điốt VD1, VD2 ngăn chặn các xung điện áp có thể xảy ra khi TV được bật. Điện áp nguồn được cung cấp từ một trong các bus TV và có thể nằm trong khoảng 5...18 V mà không làm thay đổi đáng kể các thông số của thiết bị, chỉ cần điều chỉnh giá trị của điện trở R2 để đảm bảo dòng điện điều khiển của rơle DA2 bằng 10 mA. Công suất tiêu thụ của thiết bị ở chế độ dài hạn sau khi CPU kinescope khởi động xong không vượt quá 200 mW với nguồn điện 18 V và 55 mW với nguồn điện 5 V.

Khi bật TV, điện áp mức thấp xuất hiện ở đầu ra của DA1.1 đơn ổn (chân 5), đầu ra bit (chân 1) được đặt ở trạng thái điện trở thấp, bỏ qua tụ C3 và ngăn không cho nó hoạt động. đang sạc. Trong trường hợp này, ở đầu ra của DA1.2 bắn đơn (chân 9) có điện áp cao cấp được cung cấp cho bộ phận làm mờ kinescope, không có dòng điện trong mạch điều khiển của rơle DA2 (chân 10, 11 ). Kết quả là, kinescope bị đóng, dòng khởi động của dây tóc CPU chạy qua nhiệt điện trở lạnh R3 và bộ phận giới hạn dòng do mạch TV cung cấp, làm giảm công suất khởi động đi 7...8 lần. Khi nhiệt điện trở R3 nóng lên, điện trở của nó giảm và điện trở của bộ sưởi CPU tăng lên. Thời gian để nhiệt điện trở loại này đạt đến chế độ danh định là 2...3 giây, nếu cần, có thể tăng thời gian này bằng cách dán nhiệt điện trở vào một bộ tản nhiệt nhỏ, kích thước của chúng được xác định bằng thực nghiệm. Keo được sử dụng phải có khả năng chịu nhiệt.

Khi kết thúc khoảng thời gian sau khi bật TV, được xác định bởi các tham số của mạch thời gian R1, C1 và bằng khoảng 10 giây, đầu ra của DA1.1 đơn ổn chuyển sang trạng thái điện áp cao và bit của nó đầu ra được đặt ở trạng thái điện trở cao. Đồng thời, tụ điện C3 bắt đầu tích điện, điện áp ngắt kinescope vẫn tồn tại ở đầu ra của DA1.2 một lần, dòng điều khiển bắt đầu chạy trong mạch điều khiển của rơle DA2 và mạch nguồn của nó được đặt sang trạng thái có điện trở thấp. Sau đó, cho đến khi TV tắt, dòng điện dây tóc chạy qua tiếp điểm 2 và 6 của rơle DA2, đồng thời nhiệt điện trở R3 nhanh chóng nguội đi, chuẩn bị cho thiết bị cho lần bật TV tiếp theo. Khi kết thúc khoảng thời gian sau khi bắt đầu sạc tụ điện C3, được xác định bởi các tham số của mạch định thời R4, C3 và bằng khoảng 20 giây, đầu ra của DA1.2 một xung chuyển sang trạng thái có mức điện áp thấp. cấp điện áp. Do đó, kinescope sẽ mở ra và sau đó TV hoạt động bình thường. Như vậy, tổng thời gian trễ để mở kinescope là 30 giây.

Trong thiết bị, thay vì bộ hẹn giờ kép ICM7556IPD của MAXIM, bạn có thể sử dụng bất kỳ vi mạch nào trong số 556 vi mạch, ví dụ như các vi mạch được chỉ ra trong [4] hoặc hai vi mạch hẹn giờ đơn KR1006VI1 (điện áp nguồn - 5,-15 V). Không nên thay thế rơle 5P19A1 bằng rơle điện từ do tuổi thọ của rơle sau thấp. Các chất tương tự nước ngoài gần nhất: RVG612, PVAZ172N từ INTERNATIONAL RECTIFIER. VD1, VD2, ngoài những loại được chỉ ra trong sơ đồ, có thể thuộc loại KD509, KD510, KD522 với bất kỳ chỉ số chữ cái nào. Tụ điện C1, C3 phải có thời gian trung bình giữa các lần hỏng hóc trong điều kiện nhiệt độ môi trường xung quanh tăng cao ít nhất 10000 giờ và dòng điện rò rỉ tối thiểu. Phù hợp nhất về tiêu chí chi phí/hiệu quả là tụ điện dòng SR do Đài Loan sản xuất. Cũng phù hợp là K52-16 K53-4, K53-18, K53-19. K53-29, K53-35 [2] nhưng giá thành cao hơn đáng kể. Tụ điện C2, C4 - loại KM, K10-17.

Được lắp ráp chính xác từ các bộ phận tốt đã biết, thiết bị không cần điều chỉnh.

Văn chương

Vukolov N.I., Gerbin A.I., Kotovshchikov G.S. Tiếp nhận ống tia âm cực: Sổ tay/Ed. Ulasyuk V.N. - M.: Đài phát thanh và truyền thông, 1993.
Tụ điện: Thư mục / I.I.Chetvertkov, M.N.Dyakonov, V.I.Presnykov, v.v.: Ed. I.I.Chetvertkova. - M.: Đài phát thanh và truyền thông, 1993.
Vetoshkin P. Thiết bị kích hoạt “mềm” máy soi kinescope. - Đài, 1994, N9, P.7.
Dudnik Yu. IC của bộ định thời analog AS555N, AS556N. - Đài nghiệp dư, 1998, N1.C.40.

Tác giả: S. Mitsin, vùng Moscow, Dubna; Xuất bản: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

Xem các bài viết khác razdela Truyền hình.

Đọc và viết hữu ích bình luận về bài viết này.

<< Quay lại

Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất:

Một cách mới để kiểm soát và điều khiển tín hiệu quang 05.05.2024

Thế giới khoa học và công nghệ hiện đại đang phát triển nhanh chóng, hàng ngày các phương pháp và công nghệ mới xuất hiện mở ra những triển vọng mới cho chúng ta trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Một trong những đổi mới như vậy là sự phát triển của các nhà khoa học Đức về một phương pháp mới để điều khiển tín hiệu quang học, phương pháp này có thể dẫn đến tiến bộ đáng kể trong lĩnh vực quang tử học. Nghiên cứu gần đây đã cho phép các nhà khoa học Đức tạo ra một tấm sóng có thể điều chỉnh được bên trong ống dẫn sóng silica nung chảy. Phương pháp này dựa trên việc sử dụng lớp tinh thể lỏng, cho phép người ta thay đổi hiệu quả sự phân cực của ánh sáng truyền qua ống dẫn sóng. Bước đột phá công nghệ này mở ra triển vọng mới cho việc phát triển các thiết bị quang tử nhỏ gọn và hiệu quả có khả năng xử lý khối lượng dữ liệu lớn. Việc điều khiển phân cực quang điện được cung cấp bởi phương pháp mới có thể cung cấp cơ sở cho một loại thiết bị quang tử tích hợp mới. Điều này mở ra những cơ hội lớn cho ... >>

Bàn phím Primium Seneca 05.05.2024

Bàn phím là một phần không thể thiếu trong công việc máy tính hàng ngày của chúng ta. Tuy nhiên, một trong những vấn đề chính mà người dùng gặp phải là tiếng ồn, đặc biệt là ở các dòng máy cao cấp. Nhưng với bàn phím Seneca mới của Norbauer & Co, điều đó có thể thay đổi. Seneca không chỉ là một bàn phím, nó là kết quả của 5 năm phát triển để tạo ra một thiết bị lý tưởng. Mọi khía cạnh của bàn phím này, từ đặc tính âm thanh đến đặc tính cơ học, đều được xem xét và cân bằng cẩn thận. Một trong những tính năng chính của Seneca là bộ ổn định im lặng, giúp giải quyết vấn đề tiếng ồn thường gặp ở nhiều bàn phím. Ngoài ra, bàn phím còn hỗ trợ nhiều độ rộng phím khác nhau, thuận tiện cho mọi người dùng. Mặc dù Seneca vẫn chưa có sẵn để mua nhưng nó được lên kế hoạch phát hành vào cuối mùa hè. Seneca của Norbauer & Co đại diện cho các tiêu chuẩn mới trong thiết kế bàn phím. Cô ấy ... >>

Khai trương đài quan sát thiên văn cao nhất thế giới 04.05.2024

Khám phá không gian và những bí ẩn của nó là nhiệm vụ thu hút sự chú ý của các nhà thiên văn học từ khắp nơi trên thế giới. Trong bầu không khí trong lành của vùng núi cao, cách xa ô nhiễm ánh sáng thành phố, các ngôi sao và hành tinh tiết lộ bí mật của chúng một cách rõ ràng hơn. Một trang mới đang mở ra trong lịch sử thiên văn học với việc khai trương đài quan sát thiên văn cao nhất thế giới - Đài thiên văn Atacama của Đại học Tokyo. Đài quan sát Atacama nằm ở độ cao 5640 mét so với mực nước biển mở ra cơ hội mới cho các nhà thiên văn học trong việc nghiên cứu không gian. Địa điểm này đã trở thành vị trí cao nhất cho kính viễn vọng trên mặt đất, cung cấp cho các nhà nghiên cứu một công cụ độc đáo để nghiên cứu sóng hồng ngoại trong Vũ trụ. Mặc dù vị trí ở độ cao mang lại bầu trời trong xanh hơn và ít bị nhiễu từ khí quyển hơn, việc xây dựng đài quan sát trên núi cao đặt ra những khó khăn và thách thức to lớn. Tuy nhiên, bất chấp những khó khăn, đài quan sát mới mở ra triển vọng nghiên cứu rộng lớn cho các nhà thiên văn học. ... >>

Tin tức ngẫu nhiên từ Kho lưu trữ

Ngày càng có nhiều thiết bị cacbua silicon được sản xuất 21.05.2013

Yole Developpement báo cáo rằng năm ngoái, thị phần của silicon carbide (SiC) trong doanh thu của các công ty đã tăng 38% lên 75 triệu USD và đã có 30 công ty có khả năng sản xuất các thiết bị silicon carbide trên thiết bị của họ.

Bốn công ty đã được thành lập như xưởng đúc cacbua silicon: Fraunhofer, Ascatron, ISB và Raytheon. Năm ngoái, bốn công ty đã tích cực tăng cường sản xuất - Rohm, ST, GeneSIC và MicroSemi - trong nỗ lực thu hẹp khoảng cách về các công ty dẫn đầu thị trường Infineon và Cree. Tại Nhật Bản, Toshiba, Panasonic, Toshiba, Fuji Electric và Mitsubishi đã cho thấy mình là những đối thủ tiềm năng trong thị trường cacbua silicon. Các công ty khởi nghiệp từ Hoa Kỳ - Global Power Devices và USCi - xuất hiện từ chế độ ẩn.

Yole tin rằng thị trường cacbua silicon giờ đây sẽ chuyển từ các thiết bị rời rạc sang sản xuất mô-đun năng lượng.

Sự tăng trưởng của thị trường cacbua silicon trong tương lai sẽ phụ thuộc vào việc ngành công nghiệp ô tô có cần công nghệ tần số cao và nhiệt độ cao hay không. Yole nói: “Nếu điều đó xảy ra, thị trường mô-đun cacbua silicon có thể đạt 2020 triệu USD vào năm 800. Cacbua silic đã tìm thấy công dụng lớn nhất của nó trong biến tần PV, nhưng hầu hết các nhà sản xuất mô-đun công suất đã bao gồm cacbit silic trong kế hoạch của họ.

Tin tức thú vị khác:

▪ Sạc không dây Honor Superfast 100W

▪ Tĩnh điện khuếch đại bão cát

▪ XV-3500CB Cảm biến con quay hồi chuyển siêu nhỏ

▪ tổ thơm

▪ tắc kè rô bốt

Nguồn cấp tin tức khoa học và công nghệ, điện tử mới

Tài liệu thú vị của Thư viện kỹ thuật miễn phí:

▪ phần của trang web Công cụ và cơ chế cho nông nghiệp. Lựa chọn các bài viết

▪ Bài Pittacus. câu cách ngôn nổi tiếng

▪ bài viết Cái gì quay quanh cái gì: Trái đất quanh Mặt trăng hay ngược lại? đáp án chi tiết

▪ bài báo dâu núi cao. Truyền thuyết, canh tác, phương pháp áp dụng

▪ bài báo Cảm biến quang học (quang điện). Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

▪ bài viết Bộ ổn định điện áp / dòng điện có thể điều chỉnh, 220 / 1,25-25 volt 15-1200 milliamp. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

Để lại bình luận của bạn về bài viết này:

Tất cả các ngôn ngữ của trang này

Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web