Transistor hiệu ứng trường. Các ứng dụng tiêu biểu. Dữ liệu tham khảo

Thư viện kỹ thuật miễn phí

ENCYCLOPEDIA VỀ ĐIỆN TỬ TRUYỀN THANH VÀ KỸ THUẬT ĐIỆN
Thư viện miễn phí / Sơ đồ của các thiết bị vô tuyến-điện tử và điện

Transistor hiệu ứng trường. Các ứng dụng tiêu biểu. Dữ liệu tham khảo

Thư viện kỹ thuật miễn phí

Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Những tài liệu tham khảo

Bình luận bài viết

Bóng bán dẫn	Bổ nhiệm
2P101	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại tần số thấp và DC có trở kháng đầu vào cao
KP102	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại tần số thấp và DC có trở kháng đầu vào cao
2P103 2P103-9	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại tần số thấp và DC có trở kháng đầu vào cao
2PS104	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại nhiễu thấp vi sai có tần số thấp và dòng điện một chiều có trở kháng đầu vào cao
2P201	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại tần số thấp và DC có trở kháng đầu vào cao
2PS202	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại nhiễu thấp vi sai có tần số thấp và dòng điện một chiều có trở kháng đầu vào cao
KPS203	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại nhiễu thấp vi sai có tần số thấp và dòng điện một chiều có trở kháng đầu vào cao
KP301	để sử dụng trong các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại có độ nhiễu thấp và mạch tín hiệu nhỏ phi tuyến có trở kháng đầu vào cao
KP302	để sử dụng trong các bộ khuếch đại băng rộng ở dải tần lên tới 150 MHz, cũng như trong các thiết bị chuyển mạch và chuyển mạch
KP303	được thiết kế để sử dụng trong các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại có tần số cao (D, E, I) và thấp (A, B, V, G) có trở kháng đầu vào cao. Các bóng bán dẫn KP303G được thiết kế để sử dụng trong các bộ khuếch đại nhạy điện tích và các mạch quang phổ hạt nhân khác
KP304	Được thiết kế để sử dụng trong các mạch chuyển mạch và khuếch đại có trở kháng đầu vào cao
2P305	được thiết kế để sử dụng trong các tầng khuếch đại tần số cao và thấp với trở kháng đầu vào cao
KP306	được thiết kế để sử dụng trong các tầng chuyển đổi và khuếch đại tần số cao và thấp với trở kháng đầu vào cao
KP307	được thiết kế để sử dụng trong các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại tần số cao và tần số thấp có trở kháng đầu vào cao. Các bóng bán dẫn KP307Zh được thiết kế để sử dụng trong các bộ khuếch đại nhạy điện tích và các mạch quang phổ hạt nhân khác
2P308-9	được thiết kế để sử dụng trong các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại dòng điện một chiều và tần số thấp (A, B, C), trong các mạch chuyển mạch và mạch chuyển mạch (D, D) có trở kháng đầu vào cao.
KP310	để sử dụng trong các thiết bị truyền và nhận vi sóng
KP312	được thiết kế để sử dụng trong các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại và bộ chuyển đổi vi sóng
KP313	được thiết kế để sử dụng trong các tầng khuếch đại tần số cao và thấp với trở kháng đầu vào cao
KP314	để sử dụng trong các giai đoạn tiền khuếch đại được làm mát của thiết bị quang phổ hạt nhân
KPS315	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại nhiễu thấp vi sai có tần số thấp và dòng điện một chiều có trở kháng đầu vào cao
KPS316	để vận hành ở các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại vi sai, mạch cân bằng cho các mục đích khác nhau có trở kháng đầu vào cao
3P320-2	Transistor hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky dùng cho các thiết bị khuếch đại vi sóng có hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 8 GHz
3P321-2	Transistor hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky dùng cho các thiết bị khuếch đại vi sóng có hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 8 GHz
KP322	tetrode dựa trên mối nối pn dành cho bộ khuếch đại và giai đoạn trộn ở tần số lên tới 400 MHz
KP323-2	bóng bán dẫn tiếp giáp pn cho các giai đoạn đầu vào của bộ tiền khuếch đại có độ ồn thấp và tần số cao (lên đến 400 MHz)
3P324-2	Transistor hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky dùng cho các thiết bị khuếch đại vi sóng có hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 12 GHz
3P325-2	Transistor hiệu ứng trường gali arsenide có rào cản Schottky với hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 8 GHz dùng cho các thiết bị vi sóng có mức nhiễu thấp, cũng như cho các thiết bị tách sóng quang có mức nhiễu nội tại thấp
3P326-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có rào chắn Schottky với hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 17.4 GHz để sử dụng ở đầu vào và các giai đoạn tiếp theo của bộ khuếch đại nhiễu thấp
KP327	MOS tetrode với cổng n và cổng được bảo vệ bằng diode dành cho bộ chọn kênh truyền hình sóng mét và sóng decimet
3P328-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có rào chắn Schottky với hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 8 GHz để sử dụng ở đầu vào và các giai đoạn tiếp theo của bộ khuếch đại nhiễu thấp
KP329	để sử dụng trong các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại tần số thấp và cao (lên đến 200 MHz), trong các thiết bị chuyển mạch và chuyển mạch có trở kháng đầu vào cao
3P330-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có rào cản Schottky với hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 25 GHz (3P330A-2, 3P330B-2) và 17.4 GHz (3P330V-2) để sử dụng trong các giai đoạn đầu vào và giai đoạn tiếp theo của bộ khuếch đại nhiễu thấp
3P331-2	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky với hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 10 GHz để sử dụng trong các bộ khuếch đại dải động cao và độ ồn thấp
2P332	Transitor hiệu ứng trường kênh p cho các thiết bị chuyển mạch và khuếch đại
2P333	Bóng bán dẫn kênh n hiệu ứng trường để sử dụng trong các giai đoạn đầu vào của bộ khuếch đại tần số thấp và cao (lên đến 200 MHz), trong các thiết bị chuyển mạch và công tắc có trở kháng đầu vào cao
2P335-2	cho thiết bị khuếch đại
2P336-1	cho các thiết bị chuyển mạch và khuếch đại
2P337-R	Các bóng bán dẫn được ghép thành cặp theo thông số điện được thiết kế để sử dụng trong các bộ khuếch đại cân bằng, bộ khuếch đại vi sai có trở kháng đầu vào cao ở tần số lên đến 400 MHz
2P338-R1	Các bóng bán dẫn được ghép thành cặp theo thông số điện được thiết kế để sử dụng trong các bộ khuếch đại cân bằng, bộ khuếch đại vi sai có trở kháng đầu vào cao
3P339-2	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky với hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 8 và 17.4 GHz để sử dụng trong các bộ khuếch đại nhiễu thấp, bộ khuếch đại dải động cao và bộ khuếch đại băng rộng
2P341	Transistor có tiếp giáp pn dùng cho tầng đầu vào của bộ khuếch đại nhiễu thấp trong dải tần 20 Hz - 500 MHz
KP342	cho các thiết bị chuyển mạch
3P343-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có rào chắn Schottky với hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 12 GHz để sử dụng ở đầu vào và các giai đoạn tiếp theo của bộ khuếch đại nhiễu thấp
3P344-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có rào chắn Schottky với hệ số nhiễu chuẩn hóa ở tần số 4 GHz để sử dụng ở đầu vào và các giai đoạn tiếp theo của bộ khuếch đại nhiễu thấp
3P345-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có rào cản Schottky để sử dụng trong các thiết bị tách sóng quang có mức nhiễu nội tại thấp
KP346-9	Bóng bán dẫn hai cổng MOS kênh n có cổng được bảo vệ bằng điốt cho bộ chọn kênh TV có bộ thu TV (A, B - cho sóng decimet, B - cho sóng mét)
2P347-2	Transistor hai cổng kênh n dành cho tầng đầu vào của thiết bị thu sóng vô tuyến
KP350	được thiết kế để sử dụng trong các tầng khuếch đại, máy phát và bộ chuyển đổi tần số cực cao (lên đến 700 MHz)
KP351	bóng bán dẫn có rào cản Schottky có hai cổng (3P351A-2) và có một cổng (3P351A1-2), được thiết kế để sử dụng trong các bộ khuếch đại, bộ trộn và các thiết bị khác có độ ồn thấp trong phạm vi centimet
KP365A	Transistor kênh n BF410C
KP382A	Bộ chọn kênh DH bóng bán dẫn hiệu ứng trường hai cổng BF960
KP501A	MOSFET điện áp cao ZVN2120 được sử dụng làm công tắc cho truyền thông analog
KP601 2P601-9	bóng bán dẫn hiệu ứng trường với cổng khuếch tán và kênh n, hoạt động ở giai đoạn đầu vào và đầu ra của bộ khuếch đại và bộ biến tần
AP602-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide với hàng rào Schottky và kênh n, hoạt động trong các bộ khuếch đại công suất, bộ tự dao động, bộ biến tần trong dải tần 3-12 GHz
3P603-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide với hàng rào Schottky và kênh n, hoạt động trong các bộ khuếch đại công suất, bộ tự dao động, bộ biến tần ở dải tần lên đến 12 GHz
3P604-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide với hàng rào Schottky và kênh n, hoạt động trong các bộ khuếch đại công suất, bộ tự dao động, bộ biến tần trong dải tần 3-18 GHz
3P605-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide với rào cản Schottky và kênh n, hoạt động trong các bộ khuếch đại có độ ồn thấp và bộ khuếch đại với động mở rộng phạm vi
3P606-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide với hàng rào Schottky và kênh n, hoạt động trong các bộ khuếch đại công suất, bộ tự dao động, bộ biến tần ở dải tần lên đến 12 GHz
3P607-2	Transistor hiệu ứng trường gali arsenide với kênh n để hoạt động trong các bộ khuếch đại công suất, máy phát điện, bộ biến tần ở dải tần lên đến 10 GHz
3P608-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có rào cản Schottky và kênh n để hoạt động ở giai đoạn đầu ra của bộ khuếch đại và máy phát điện
KP701	Transitor hiệu ứng trường cổng cách điện cho nguồn điện thứ cấp, thiết bị chuyển mạch và chuyển mạch có tần số chuyển mạch lên đến 1 MHz
KP702	bóng bán dẫn hiệu ứng trường với cổng cách điện và kênh n dành cho nguồn điện thứ cấp, thiết bị chuyển mạch và xung, bộ ổn định chính và bộ chuyển đổi điện áp, bộ khuếch đại, máy phát điện
KP703	Bóng bán dẫn hiệu ứng trường với cổng cách điện và kênh p dành cho nguồn điện thứ cấp, thiết bị chuyển mạch và xung, bộ ổn định chính và bộ chuyển đổi điện áp, bộ khuếch đại, máy phát điện
KP704	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện và kênh n để sử dụng trong giai đoạn đầu ra của bộ khuếch đại video cuối cùng của màn hình đồ họa nhiều màu, trong nguồn điện thứ cấp, trong thiết bị chuyển mạch cho mạch điện
KP705	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện kênh N để sử dụng trong các nguồn điện chuyển mạch, thiết bị chuyển mạch và chuyển mạch
KP706	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện kênh N để sử dụng trong các nguồn điện chuyển mạch, thiết bị chuyển mạch và chuyển mạch
KP709	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện và kênh n để sử dụng trong nguồn điện xung cho máy thu TV thế hệ thứ tư và thứ năm, thiết bị chuyển mạch và xung của thiết bị điện tử vô tuyến và thiết bị truyền động điện. Tương tự của BUZ90, BUZ90A Siemens.
KP712	bóng bán dẫn hiệu ứng trường với cổng cách điện và kênh p để hoạt động trong các thiết bị xung
KP717B	MOSFET IRF350 với 400V, 0.3ohm
KP718A	MOSFET BUZ45 với 500 V, 0.6 Ohm
KP718E1	MOSFET IRF453 với 500V, 0.6ohm
KP722A	MOSFET BUZ36 với 200 V, 0.12 Ohm
KP723A	MOSFET IRF44 với 60V, 0.028ohm
KP723B	MOSFET IRF44 với 60V, 0.028ohm
KP723V	MOSFET IRF45 với 60V, 0.028ohm
KP724G	MOSFET IRF42 với 60V, 0.028ohm
KP724A	MOSFET MTP6N60 với 600V, 1.2ohm
KP724B	MOSFET IRF842 với 600V, 1.2ohm
KP725A	MOSFET TPF450 với 500V, 0.4ohm
KP726A	MOSFET BUZ90 với 600 V, 1.2 Ohm
KP728A	MOSFET với 800V, 3.0ohm
KP801	Transistor hiệu ứng trường tiếp giáp pn dùng trong tầng đầu ra của bộ khuếch đại của thiết bị tái tạo âm thanh
KP802	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường tiếp giáp pn hoạt động trong các mạch chính của bộ biến điện áp DC như một công tắc tốc độ cao
KP803	bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện dùng cho nguồn điện thứ cấp, thiết bị chuyển mạch và chuyển mạch cũng như cho các bộ ổn định và chuyển đổi điện áp chính, bộ khuếch đại và máy phát điện
KP804	Transistor hiệu ứng trường cổng cách điện kênh N cho mạch chuyển mạch tốc độ cao
KP805	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện và kênh n để xây dựng nguồn điện thứ cấp có đầu vào không biến áp, hoạt động từ mạng xoay chiều công nghiệp có tần số 50 Hz và điện áp 220 V và cho các thiết bị chuyển đổi năng lượng điện khác
KP809	Bóng bán dẫn MOS để hoạt động ở tần số lên đến 3 MHz trở lên trong việc chuyển đổi nguồn điện với đầu vào không cần biến áp, trong bộ điều chỉnh, bộ ổn định và bộ chuyển đổi
KP810	thiết bị có cảm ứng tĩnh để sử dụng trong các mạch nguồn tần số cao có đầu vào không biến áp, bộ khuếch đại công suất chính
KP812	bóng bán dẫn hiệu ứng trường với cổng cách điện và kênh n để chuyển đổi nguồn điện, bộ điều chỉnh, bộ khuếch đại âm thanh
KP813	Bóng bán dẫn MOS để hoạt động ở tần số lên đến 3 MHz trở lên trong việc chuyển đổi nguồn điện với đầu vào không cần biến áp, trong bộ điều chỉnh, bộ ổn định và bộ chuyển đổi
KP814	Transitor hiệu ứng trường cổng cách điện kênh N để chuyển đổi nguồn điện
KP901	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện được thiết kế để sử dụng trong các tầng khuếch đại và máy phát ở dải bước sóng ngắn và cực ngắn (lên đến 100 MHz)
KP902	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện để sử dụng trong các thiết bị truyền và nhận ở dải tần lên tới 400 MHz
KP903	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường tiếp giáp pn để sử dụng trong các thiết bị thu, truyền và chuyển mạch trong dải tần lên đến 30 MHz
KP904	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện được thiết kế để sử dụng trong các tầng khuếch đại, chuyển đổi và máy phát trong phạm vi bước sóng ngắn và cực ngắn
KP905	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện để khuếch đại và tạo tín hiệu ở dải tần lên tới 1500 MHz
KP907	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện để khuếch đại và tạo tín hiệu trong dải tần lên tới 1500 MHz, cũng như để sử dụng trong các thiết bị chuyển mạch tốc độ cao trong phạm vi nano giây
KP908	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện để khuếch đại và tạo tín hiệu ở dải tần lên tới 2.25 GHz
KP909	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện để hoạt động trong các thiết bị khuếch đại và máy phát ở chế độ liên tục và xung ở tần số lên đến 400 MHz
AP910-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky và kênh n để hoạt động trong bộ khuếch đại công suất, máy phát điện ở dải tần lên đến 8 GHz
KP911	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện để vận hành trong các thiết bị khuếch đại và máy phát điện
KP912	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện để sử dụng trong các bộ ổn định chính và bộ chuyển đổi điện áp, thiết bị xung, bộ khuếch đại và máy phát điện
KP913	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện để khuếch đại và tạo tín hiệu trong dải tần lên tới 400 MHz với điện áp cung cấp lên đến 45 V
2P914	bóng bán dẫn hiệu ứng trường với điểm nối pn d để sử dụng trong bộ khuếch đại, bộ chuyển đổi và máy phát tần số cao, cũng như trong các thiết bị chuyển mạch
3P915-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky và kênh n để hoạt động trong bộ khuếch đại công suất, máy phát điện ở dải tần lên đến 8 GHz
KP918	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện để khuếch đại và tạo tín hiệu ở dải tần lên tới 1 GHz, cũng như cho các thiết bị chuyển mạch tốc độ cao
KP920	Các bóng bán dẫn hiệu ứng trường cổng cách điện để khuếch đại và tạo tín hiệu trong dải tần lên tới 400 MHz, cũng như cho các thiết bị chuyển mạch tốc độ cao
KP921	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện, được thiết kế để sử dụng trong các thiết bị chuyển mạch tốc độ cao
2P922 2P922-1	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện và kênh n, được thiết kế để sử dụng trong nguồn điện thứ cấp, thiết bị chuyển mạch và xung tốc độ cao, cũng như trong bộ ổn định và bộ chuyển đổi điện áp
KP923	bóng bán dẫn hiệu ứng trường có cổng cách điện để hoạt động trong các thiết bị khuếch đại và máy phát điện, trong các thiết bị khuếch đại tuyến tính ở tần số lên đến 1 GHz
3P925-2	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky và kênh n để hoạt động trong các bộ khuếch đại công suất băng thông rộng ở dải tần 3.7-4.2 GHz (3P925A) và 4.3-4.8 GHz (3P925B) trên đường dẫn có trở kháng đặc tính 50 Ohms và chứa các mạch phù hợp bên trong
2P926	bóng bán dẫn hiệu ứng trường cho nguồn điện thứ cấp, thiết bị chuyển mạch và chuyển mạch, cũng như cho các thiết bị chuyển mạch và tuyến tính
3P927	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có rào chắn Schottky với kênh n để hoạt động trong các bộ khuếch đại công suất, bộ tự dao động, bộ biến tần trong dải tần 1-18 GHz
2P928	hai MOSFET có kênh n và nguồn chung, máy phát điện, được thiết kế để sử dụng trong bộ khuếch đại công suất và máy phát điện
3P930	bóng bán dẫn hiệu ứng trường gallium arsenide có rào chắn Schottky và kênh n để hoạt động ở dải tần 5.7-6.3 GHz
KP932	bóng bán dẫn điện áp cao để hoạt động trong các tầng khuếch đại video của màn hình màu
KP933	hai bóng bán dẫn MOS có kênh n và nguồn chung để hoạt động trong các thiết bị khuếch đại tuyến tính và băng thông rộng và bộ tự dao động có độ ổn định tần số cao (để khuếch đại và tạo tín hiệu có tần số lên đến 1 GHz)
KP934	bóng bán dẫn có cảm ứng tĩnh và kênh n được thiết kế để sử dụng trong nguồn điện thứ cấp và thiết bị chuyển mạch điện áp cao
KP937	chuyển mạch bóng bán dẫn hiệu ứng trường với tiếp giáp pn và kênh n để sử dụng trong nguồn điện thứ cấp, bộ biến điện áp, hệ thống truyền động điện, máy phát xung, tổ hợp xử lý tia lửa điện
KP938	chuyển đổi các bóng bán dẫn hiệu ứng trường điện áp cao với tiếp giáp pn và kênh n để sử dụng trong các nguồn điện thứ cấp, để cấp nguồn cho động cơ DC và AC, trong các công tắc mạnh mẽ, bộ khuếch đại tần số thấp
2P941	để tạo tín hiệu và khuếch đại công suất trong các mạch điện tử vô tuyến có tần số hoạt động lên tới 400-600 MHz ở điện áp cung cấp 12 V
KP944	Transistor MOS kênh p hoạt động trong mạch điều khiển thiết bị lưu trữ máy tính trên đĩa từ
KP944	Transistor MOS kênh n hoạt động trong mạch điều khiển thiết bị lưu trữ máy tính trên đĩa từ
KP946	thiết bị có cảm ứng tĩnh để sử dụng trong các mạch nguồn tần số cao có đầu vào không biến áp, bộ khuếch đại công suất chính
KP948	thiết bị có cảm ứng tĩnh để sử dụng trong các mạch nguồn tần số cao có đầu vào không biến áp, bộ khuếch đại công suất chính
KP953	thiết bị có cảm ứng tĩnh để sử dụng trong các mạch nguồn tần số cao có đầu vào không biến áp, bộ khuếch đại công suất chính
KP955	thiết bị có cảm ứng tĩnh để sử dụng trong các mạch nguồn tần số cao có đầu vào không biến áp, bộ khuếch đại công suất chính

Xuất bản: cxem.net

Xem các bài viết khác razdela Những tài liệu tham khảo.

Đọc và viết hữu ích bình luận về bài viết này.

<< Quay lại

Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất:

Máy tỉa hoa trong vườn 02.05.2024

Trong nền nông nghiệp hiện đại, tiến bộ công nghệ đang phát triển nhằm nâng cao hiệu quả của quá trình chăm sóc cây trồng. Máy tỉa thưa hoa Florix cải tiến đã được giới thiệu tại Ý, được thiết kế để tối ưu hóa giai đoạn thu hoạch. Công cụ này được trang bị cánh tay di động, cho phép nó dễ dàng thích ứng với nhu cầu của khu vườn. Người vận hành có thể điều chỉnh tốc độ của các dây mỏng bằng cách điều khiển chúng từ cabin máy kéo bằng cần điều khiển. Cách tiếp cận này làm tăng đáng kể hiệu quả của quá trình tỉa thưa hoa, mang lại khả năng điều chỉnh riêng cho từng điều kiện cụ thể của khu vườn, cũng như sự đa dạng và loại trái cây được trồng trong đó. Sau hai năm thử nghiệm máy Florix trên nhiều loại trái cây khác nhau, kết quả rất đáng khích lệ. Những nông dân như Filiberto Montanari, người đã sử dụng máy Florix trong vài năm, đã báo cáo rằng thời gian và công sức cần thiết để tỉa hoa đã giảm đáng kể. ... >>

Kính hiển vi hồng ngoại tiên tiến 02.05.2024

Kính hiển vi đóng vai trò quan trọng trong nghiên cứu khoa học, cho phép các nhà khoa học đi sâu vào các cấu trúc và quá trình mà mắt thường không nhìn thấy được. Tuy nhiên, các phương pháp kính hiển vi khác nhau đều có những hạn chế, trong đó có hạn chế về độ phân giải khi sử dụng dải hồng ngoại. Nhưng những thành tựu mới nhất của các nhà nghiên cứu Nhật Bản tại Đại học Tokyo đã mở ra những triển vọng mới cho việc nghiên cứu thế giới vi mô. Các nhà khoa học từ Đại học Tokyo vừa công bố một loại kính hiển vi mới sẽ cách mạng hóa khả năng của kính hiển vi hồng ngoại. Thiết bị tiên tiến này cho phép bạn nhìn thấy cấu trúc bên trong của vi khuẩn sống với độ rõ nét đáng kinh ngạc ở quy mô nanomet. Thông thường, kính hiển vi hồng ngoại trung bị hạn chế bởi độ phân giải thấp, nhưng sự phát triển mới nhất của các nhà nghiên cứu Nhật Bản đã khắc phục được những hạn chế này. Theo các nhà khoa học, kính hiển vi được phát triển cho phép tạo ra hình ảnh có độ phân giải lên tới 120 nanomet, cao gấp 30 lần độ phân giải của kính hiển vi truyền thống. ... >>

Bẫy không khí cho côn trùng 01.05.2024

Nông nghiệp là một trong những lĩnh vực quan trọng của nền kinh tế và kiểm soát dịch hại là một phần không thể thiếu trong quá trình này. Một nhóm các nhà khoa học từ Viện nghiên cứu khoai tây trung tâm-Hội đồng nghiên cứu nông nghiệp Ấn Độ (ICAR-CPRI), Shimla, đã đưa ra một giải pháp sáng tạo cho vấn đề này - bẫy không khí côn trùng chạy bằng năng lượng gió. Thiết bị này giải quyết những thiếu sót của các phương pháp kiểm soát sinh vật gây hại truyền thống bằng cách cung cấp dữ liệu về số lượng côn trùng theo thời gian thực. Bẫy được cung cấp năng lượng hoàn toàn bằng năng lượng gió, khiến nó trở thành một giải pháp thân thiện với môi trường và không cần điện. Thiết kế độc đáo của nó cho phép giám sát cả côn trùng có hại và có ích, cung cấp cái nhìn tổng quan đầy đủ về quần thể ở bất kỳ khu vực nông nghiệp nào. Kapil cho biết: “Bằng cách đánh giá các loài gây hại mục tiêu vào đúng thời điểm, chúng tôi có thể thực hiện các biện pháp cần thiết để kiểm soát cả sâu bệnh và dịch bệnh”. ... >>

Tin tức ngẫu nhiên từ Kho lưu trữ

Apple iPad 23.03.2017

Apple đã công bố một chiếc máy tính bảng mới, được gọi đơn giản là iPad (không có bất kỳ hộp giải mã tín hiệu nào). Nó đã thay thế iPad Air 2.

Thiết bị được giới thiệu sử dụng bộ xử lý Apple A9 so với A8X trong iPad Air 2. Màn hình vẫn giữ nguyên - Retina với độ phân giải 2048 x 1536 pixel. Màn hình trong phiên bản mới đã trở nên sáng hơn.

IPad cũng có hai camera FaceTime, máy quét dấu vân tay Touch ID và pin sạc cho phép thiết bị hoạt động mà không cần sạc lại trong tối đa 10 giờ. Độ dày của sản phẩm là 7,5 mm so với 6,1 mm của iPad Air 2. Trọng lượng cũng tăng lên - từ 450 lên 469 gram.

Apple đã tạo ra một chiếc iPad mới với các phiên bản có bộ nhớ 32 và 128 GB. Chi phí sẽ bắt đầu từ 25 nghìn rúp (sửa đổi mà không có modem LTE). Phiên bản 128 gigabyte có hỗ trợ di động sẽ có giá 42 nghìn rúp. Máy tính bảng được trình bày với các màu thân vàng, bạc và xám đen.

“IPad đã trở nên dễ tiếp cận hơn”, Philip Schiller, Phó chủ tịch cấp cao phụ trách tiếp thị sản phẩm của Apple, trích dẫn trong thông cáo báo chí. .

Các đơn đặt hàng trước để mua iPad mới trong cửa hàng trực tuyến của Apple sẽ mở vào ngày 24 tháng XNUMX.

Tin tức thú vị khác:

▪ Infineon MIPAQ Pro Intelligent Power Builds

▪ Tàu điện ngầm Robotic London

▪ Thiết bị di động Samsung SPH-P9000

▪ Các bước trong ngày làm việc

▪ Sự thuần khiết của lời nói ảnh hưởng đến trí nhớ

Nguồn cấp tin tức khoa học và công nghệ, điện tử mới

Tài liệu thú vị của Thư viện kỹ thuật miễn phí:

▪ phần của trang web Công cụ thợ điện. Lựa chọn bài viết

▪ bài viết Đây là cho bạn, (bà), và Ngày Thánh George. biểu hiện phổ biến

▪ bài viết Quốc gia nào là người đầu tiên phát minh ra các trại tập trung? đáp án chi tiết

▪ bài báo Công nhân vận tải-phụ trợ. Hướng dẫn tiêu chuẩn về bảo hộ lao động

▪ bài viết Máy tính mini trên xe ô tô. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

▪ bài viết Truyền âm thanh qua kênh IR. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

Để lại bình luận của bạn về bài viết này:

Tất cả các ngôn ngữ của trang này

Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web