K1464CA1 - hai bộ so sánh điện áp với đầu ra cực thu mở. Dữ liệu tham khảo

Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Những tài liệu tham khảo

 Bình luận bài viết

Trong trường hợp của vi mạch này, có hai bộ so sánh độc lập (chỉ được kết nối bằng mạch nguồn). Mỗi trong số chúng có khả năng hoạt động trong một loạt các giá trị điện áp đầu vào, được cấp nguồn bởi cả nguồn đơn cực và lưỡng cực và có đầu ra cực thu hở. Các bóng bán dẫn Pn-p hoạt động trong các giai đoạn đầu vào của bộ so sánh, vì vậy dòng điện đầu vào đang chạy. Dòng điện đầu vào thực tế không phụ thuộc vào trạng thái của đầu ra và điện trở tải.

Ưu điểm của bộ so sánh cũng bao gồm mức tiêu thụ dòng điện tương đối thấp và khả năng so sánh các tín hiệu đầu vào có điện áp gần bằng XNUMX. Vi mạch có thể được sử dụng trong các bộ tạo xung, bộ chuyển đổi tương tự sang số, các phần tử logic điện áp cao, bộ phát hiện xung và các nút khác. Về mức điện áp đầu ra, bộ so sánh tương thích với các phần tử TTL, DTL, ESL và CMOS.

Các thiết bị này được đóng gói trong gói nhựa tám chân gồm hai loại: 2101.8-1 (DIP-8) - K1464CA1R để gắn truyền thống và 430310.8-A (SO-8) - K1464CA1T, để gắn trên bề mặt. Các bản vẽ nhà ở được hiển thị trong hình. 1, a và b. Về đặc tính điện, cả hai vi mạch đều giống hệt nhau. Tương tự nước ngoài của chip K1464CA1 là LM393 (Tập đoàn bán dẫn quốc gia).

Sơ đồ chân của vi mạch được hiển thị trong hình. 2

Các đặc tính điện cơ bản

Điện áp phân cực đầu vào, mV, tối đa, ở nhiệt độ và điện áp nguồn 5 V*

• +25 ° С ...... 7
• -40 ... + 85 ° С ...... 9

Dòng điện đầu vào, nA, không hơn, ở điện áp cung cấp 5 V và nhiệt độ

• +25 ° С ...... 250
• -40 ... + 85 ° С ...... 400

Chênh lệch giá trị dòng điện đầu vào, nA, không hơn, ở điện áp nguồn 5 V và nhiệt độ

• +25 ° С ...... 50
• -40 ... + 85 ° С ...... 150

Nhập các giới hạn điện áp ở chế độ chung, V, ở nhiệt độ và điện áp nguồn 30 V

• +25 ° С ...... 0 ... (Unt1T-1,5B)
• -40 ... + 85 ° С ...... 0 ... (nguồn-2V)

Mức tiêu thụ hiện tại, mA, không hơn, với đầu ra không được kết nối, nhiệt độ +25 °C và điện áp nguồn

• 5V ...... 1
• 36 V ...... 2,5

• Dòng điện đầu ra (chìm), mA, không nhỏ hơn, ở điện áp ở đầu vào đảo ngược 1 V, điện áp bằng 1,5 ở đầu vào không đảo, điện áp đầu ra không quá 5 V, điện áp nguồn 25 V và nhiệt độ của + 6 °C.... XNUMX
• Điện áp bão hòa, mV, không lớn hơn, tại điện áp ở đầu vào đảo ngược 1 V, điện áp bằng 4 ở đầu vào không đảo, dòng điện đầu ra không quá 5 mA, điện áp nguồn 25 V và nhiệt độ 700 °С...... XNUMX
• Dòng rò đầu ra, μA, không hơn, ở điện áp ở đầu vào không đảo là 1 V, điện áp bằng 30 ở đầu vào đảo, điện áp đầu ra là 25 V và nhiệt độ 1 °C......XNUMX
• Điện áp nguồn, V, đơn cực......2...36
• lưỡng cực ...... 2x1 ... 2x18
• Điện áp đầu vào vi sai, V ...... 0 ... 36

* Nhiệt độ môi trường ở mọi nơi.

Giới hạn giá trị

• Điện áp cung cấp cao nhất, V ...... 40
• Điện áp vi sai đầu vào tối đa, V ...... 40
• Dòng đầu vào cao nhất, mA, ở điện áp đầu vào nhỏ hơn -0,3 V ...... 50 *
• Nhiệt độ cao nhất của tinh thể, ° С ...... + 170
• Phạm vi làm việc của nhiệt độ môi trường xung quanh, ° C ......- 40 ... + 85
• Nhiệt độ bảo quản cao nhất, ° С ...... 150

* Vì các bóng bán dẫn đầu vào là pnp, nên các bộ thu của chúng được nối đất khi được cấp nguồn đơn cực. Khi một điện áp âm được đặt vào đầu vào (ở chế độ danh nghĩa, nó không được nhỏ hơn XNUMX), một dòng điện một chiều chạy qua điểm nối bộ thu của các bóng bán dẫn đầu vào - chảy vào, không giống như chảy ra, ở chế độ bình thường. Giá trị được chỉ định là giới hạn mà tại đó dòng điện đầu vào phải được giới hạn trong trường hợp có thể sử dụng chế độ bộ so sánh được mô tả.

Một mạch điển hình của bộ so sánh đảo ngược với "độ trễ" điện áp được hiển thị trong hình. 3. Các giá trị của điện áp ngưỡng đầu vào dưới và trên Uthr.n và Uthr.v được xác định bởi các mối quan hệ sau:

Với điều kiện R1 = R2 = R3

Giá trị điện áp ở đầu ra của bộ so sánh: U°=Us; U1 \u4d Upit - Iut RXNUMX. Điện áp bão hòa Unas phụ thuộc vào dòng tải:

(Iut là dòng rò đầu ra; dòng điện qua điện trở R3 ở giá trị cao của điện trở của các điện trở R1-R3 có thể bỏ qua do nhỏ).

Trên hình. Hình 4 cho thấy một mạch điển hình của bộ so sánh không đảo có độ trễ điện áp. Cho anh ấy

Các đặc tính truyền của bộ so sánh điện áp đảo ngược và không đảo ngược được mô tả ở trên được thể hiện trong hình. 5a và b, tương ứng.

Cần lưu ý rằng để đảm bảo các giá trị điện áp ngưỡng ổn định, cần phải cấp nguồn cho bộ so sánh, cả đảo ngược và không đảo ngược, và đặc biệt là trình điều khiển điện áp mẫu (trong Hình 3 và 4 - bộ chia điện trở R1R2) từ nguồn ổn định nguồn.

Hãy xem xét ngắn gọn một số tùy chọn để sử dụng bộ so sánh.

Trên hình. 6 cho thấy một sơ đồ của một máy phát xung hình chữ nhật. Nó dựa trên một bộ so sánh điện áp đảo ngược với "độ trễ" và có cùng ngưỡng chuyển đổi. Các phần tử R4, VD2 tạo thành mạch nạp của tụ điện C1 và xác định thời lượng của xung đầu ra τi=R4·C1·ln2. Thông qua các phần tử R3, VD1, tụ điện C1 được phóng điện, tạo thành một khoảng dừng tn=R3·C1·ln2. Các quá trình xảy ra trong mạch máy phát điện được minh họa trong hình. 7.

Do thực tế là các bộ so sánh có đầu ra bộ thu hở, chúng có thể được kết nối trong mạch OR có dây. Để làm điều này, chỉ cần kết hợp các đầu ra của bộ so sánh (chân 1 và 7) và kết nối đầu ra của phần tử với dây nguồn dương thông qua một điện trở tải chung có điện trở 3 kOhm.

Trên hình. Hình 8 cho thấy một sơ đồ của bộ phát hiện điểm giao nhau bằng 0,0023. Cơ sở của nút là một bộ so sánh điện áp đảo ngược với "độ trễ". Với các giá trị điện trở ghi trên sơ đồ, các mức ngưỡng đưa ra cho đầu vào tương ứng là: Uthr.n = -0,0027Upit; Uthr.v \u1d XNUMXUpit. Ở đầu ra, máy dò tạo ra một xung ngắn mỗi khi điện áp đầu vào đi qua "không". Điốt VDXNUMX bảo vệ bộ so sánh khỏi tình trạng quá tải dòng điện đầu vào trong nửa chu kỳ âm của tín hiệu đầu vào.

Tác giả: M.Shapolvalova, A.Shestakov, N.Minina, Bryansk

Xem các bài viết khác razdela Những tài liệu tham khảo.

Đọc và viết hữu ích bình luận về bài viết này.

<< Quay lại

Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất:

Khai trương đài quan sát thiên văn cao nhất thế giới 04.05.2024

Khám phá không gian và những bí ẩn của nó là nhiệm vụ thu hút sự chú ý của các nhà thiên văn học từ khắp nơi trên thế giới. Trong bầu không khí trong lành của vùng núi cao, cách xa ô nhiễm ánh sáng thành phố, các ngôi sao và hành tinh tiết lộ bí mật của chúng một cách rõ ràng hơn. Một trang mới đang mở ra trong lịch sử thiên văn học với việc khai trương đài quan sát thiên văn cao nhất thế giới - Đài thiên văn Atacama của Đại học Tokyo. Đài quan sát Atacama nằm ở độ cao 5640 mét so với mực nước biển mở ra cơ hội mới cho các nhà thiên văn học trong việc nghiên cứu không gian. Địa điểm này đã trở thành vị trí cao nhất cho kính viễn vọng trên mặt đất, cung cấp cho các nhà nghiên cứu một công cụ độc đáo để nghiên cứu sóng hồng ngoại trong Vũ trụ. Mặc dù vị trí ở độ cao mang lại bầu trời trong xanh hơn và ít bị nhiễu từ khí quyển hơn, việc xây dựng đài quan sát trên núi cao đặt ra những khó khăn và thách thức to lớn. Tuy nhiên, bất chấp những khó khăn, đài quan sát mới mở ra triển vọng nghiên cứu rộng lớn cho các nhà thiên văn học. ... >>

Điều khiển vật thể bằng dòng không khí 04.05.2024

Sự phát triển của robot tiếp tục mở ra những triển vọng mới cho chúng ta trong lĩnh vực tự động hóa và điều khiển các vật thể khác nhau. Gần đây, các nhà khoa học Phần Lan đã trình bày một cách tiếp cận sáng tạo để điều khiển robot hình người bằng dòng không khí. Phương pháp này hứa hẹn sẽ cách mạng hóa cách thức thao tác các vật thể và mở ra những chân trời mới trong lĩnh vực robot. Ý tưởng điều khiển vật thể bằng dòng không khí không phải là mới, nhưng cho đến gần đây, việc thực hiện những khái niệm như vậy vẫn là một thách thức. Các nhà nghiên cứu Phần Lan đã phát triển một phương pháp cải tiến cho phép robot điều khiển vật thể bằng cách sử dụng các tia khí đặc biệt làm "ngón tay không khí". Thuật toán kiểm soát luồng không khí được phát triển bởi một nhóm chuyên gia dựa trên nghiên cứu kỹ lưỡng về chuyển động của các vật thể trong luồng không khí. Hệ thống điều khiển máy bay phản lực, được thực hiện bằng động cơ đặc biệt, cho phép bạn điều khiển các vật thể mà không cần dùng đến vật lý ... >>

Chó thuần chủng ít bị bệnh hơn chó thuần chủng 03.05.2024

Chăm sóc sức khỏe cho thú cưng của chúng ta là một khía cạnh quan trọng trong cuộc sống của mỗi người nuôi chó. Tuy nhiên, có một nhận định chung cho rằng chó thuần chủng dễ mắc bệnh hơn so với chó lai. Nghiên cứu mới do các nhà nghiên cứu tại Trường Khoa học Y sinh và Thú y Texas dẫn đầu mang lại góc nhìn mới cho câu hỏi này. Một nghiên cứu được thực hiện bởi Dự án lão hóa chó (DAP) trên hơn 27 con chó đồng hành cho thấy chó thuần chủng và chó lai thường có khả năng mắc các bệnh khác nhau như nhau. Mặc dù một số giống chó có thể dễ mắc một số bệnh nhất định nhưng tỷ lệ chẩn đoán tổng thể gần như giống nhau giữa cả hai nhóm. Bác sĩ thú y trưởng của Dự án Lão hóa Chó, Tiến sĩ Keith Creevy, lưu ý rằng có một số bệnh phổ biến phổ biến hơn ở một số giống chó nhất định, điều này ủng hộ quan điểm cho rằng chó thuần chủng dễ mắc bệnh hơn. ... >>

Tin tức ngẫu nhiên từ Kho lưu trữ Lưu trữ năng lượng trong vi mạch 17.02.2016 Các nhà nghiên cứu tại Đại học Drexel ở Hoa Kỳ và Đại học Paul Sabatier ở Pháp đã phát triển một phương pháp sản xuất công nghiệp vi mạch với các tụ điện siêu nhỏ tích hợp. Nói cách khác, họ đã kết hợp bộ xử lý và bộ nguồn trong một sản phẩm. "Mục tiêu đầy tham vọng của chúng tôi đòi hỏi rất nhiều thời gian để thực hiện. Chúng tôi không chỉ muốn giảm kích thước của nguồn năng lượng xuống kích thước của một vi mạch mà còn biến nó thành một phần của vi mạch", Patrice Simon, một người tham gia dự án từ Paul Sabatier cho biết. Đại học. Một cách để đưa việc sản xuất các vi tụ điện như vậy vào quy trình sản xuất các sản phẩm bán dẫn hiện đại ". Trong quá trình làm việc, các nhà nghiên cứu đã gặp phải một số vấn đề. Khó khăn nhất trong số đó hóa ra là: đảm bảo tính tương thích của vật liệu của vi siêu tụ điện với vật liệu của vi mạch, độ bền cơ học và độ bền. Phương pháp được các nhà nghiên cứu phát triển để áp dụng các phân tử carbon vào chất nền silicon hóa ra lại tương tự như các phương pháp được sử dụng trong ngành công nghiệp vi điện tử hiện đại. Trong phòng thí nghiệm, họ đã học cách lắng đọng các tấm xốp cacbon trên đế silicon với nhiều kích thước và cấu hình khác nhau, tạo ra hàng chục siêu tụ điện siêu nhỏ trên đó. Siêu tụ điện có khả năng lưu trữ một lượng lớn năng lượng trong một thể tích nhỏ, điều này khiến chúng trở nên hấp dẫn đối với vi điện tử. Bạn có thể "bơm" năng lượng vào chúng ngay lập tức và bạn có thể trích xuất nó từ chúng một cách nhanh chóng. Và thời gian sử dụng của chúng thực tế là không giới hạn. Những người tham gia dự án lưu ý: “Trong tương lai, các kết quả thí nghiệm của chúng tôi có thể dễ dàng nhìn thấy vì chúng sẽ giúp làm cho các thiết bị điện tử tiêu dùng nhẹ hơn và nhỏ gọn hơn”. cho sự phát triển hơn nữa của Internet vạn vật. ” Các nhà nghiên cứu nói thêm rằng phương pháp sản xuất mà họ phát triển cho phép tích hợp các siêu tụ điện siêu nhỏ vào các chip được thiết kế cho các thiết bị ở mọi kích cỡ, từ đồng hồ thông minh đến máy tính xách tay.

Tin tức thú vị khác:

▪ Tốc độ truyền dữ liệu đạt được là 43 terabit mỗi giây

▪ Chế độ Higgs trục

▪ Màn hình NEC MultiSync LCD-X474HB với độ sáng 2000 cd m2

▪ Trang trại gió cao nhất thế giới được xây dựng

▪ Bàn di chuột Airboard

Nguồn cấp tin tức khoa học và công nghệ, điện tử mới

Tài liệu thú vị của Thư viện kỹ thuật miễn phí:

▪ phần của trang web Bách khoa toàn thư lớn dành cho trẻ em và người lớn. Lựa chọn bài viết

▪ bài viết Vượt qua Rubicon. biểu hiện phổ biến

▪ bài viết Hoạt động của năng lượng mặt trời là gì? đáp án chi tiết

▪ Điều Persimmon vulgaris. Truyền thuyết, canh tác, phương pháp áp dụng

▪ kiểm soát độ dày của men trên thân máy. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

▪ bài Cải tiến âm thanh 15GD-11A và 10GD-35. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

Để lại bình luận của bạn về bài viết này:

Tất cả các ngôn ngữ của trang này

Arabic	Hebrew	Polish
Bengali	Hindi	Portuguese
Chinese	Italian	Spanish
English	Japanese	Turkish
French	Korean	Ukrainian
German	Malay	Vietnamese

Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web

www.diagram.com.ua
2000-2024