Các trạm biến áp hoàn chỉnh, cột, cột và các điểm phân cắt mạng

Thư viện kỹ thuật miễn phí

ENCYCLOPEDIA VỀ ĐIỆN TỬ TRUYỀN THANH VÀ KỸ THUẬT ĐIỆN
Thư viện miễn phí / Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Thợ điện

Phần 4. Bánh răng đóng cắt và trạm biến áp

Thiết bị đóng cắt và trạm biến áp có điện áp trên 1 kV. Các trạm biến áp hoàn chỉnh, cột, cột và các điểm phân chia mạng

Thư viện kỹ thuật miễn phí

Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Quy tắc lắp đặt hệ thống điện (PUE)

Bình luận bài viết

4.2.122. Các yêu cầu đưa ra trong 4.2.123 - 4.2.132 phản ánh các tính năng của trạm biến áp lắp đặt ngoài trời hoàn chỉnh (KTP), cột (STP), cột (MTP) với điện áp cao đến 35 kV và điện áp thấp đến 1 kV, cũng như các điểm phân chia mạng (SSP) có điện áp lên đến 35 kV.

Trong tất cả các khía cạnh khác không được chỉ định trong 4.2.123 - 4.2.132, cần tuân theo các yêu cầu của các đoạn khác của chương này.

4.2.123. Việc kết nối máy biến áp với mạng điện áp cao hơn phải được thực hiện bằng cách sử dụng cầu chì và bộ ngắt kết nối (công tắc tải) hoặc bộ ngắt kết nối cầu chì kết hợp với mạch hở có thể nhìn thấy được.

Thiết bị chuyển mạch phải được điều khiển từ mặt đất. Ổ đĩa của thiết bị chuyển mạch phải có thể khóa được. Thiết bị đóng cắt phải có dao nối đất ở phía máy biến áp.

4.2.124. Theo quy định, thiết bị chuyển mạch MTP và STP phải được cài đặt trên giá đỡ đầu cuối (hoặc nhánh) của đường dây trên không.

Thiết bị chuyển mạch của KTP và SSP có thể được cài đặt cả trên giá đỡ đầu cuối (nhánh) của đường dây trên không và bên trong KTP và SSP.

4.2.125. Tại các trạm biến áp và SSP không có hàng rào, khoảng cách thẳng đứng từ mặt đất đến các bộ phận mang dòng điện không cách điện khi không có giao thông dưới các thiết bị đầu cuối tối thiểu phải là 3,5 m đối với điện áp lên đến 1 kV và đối với điện áp 10 (6) và 35 kV - theo Bảng. 4.2.7 Kích thước 'E'.

Tại các trạm biến áp và SSP có hàng rào cao ít nhất 1,8 m, khoảng cách chỉ định đến các bộ phận mang dòng điện không cách điện có điện áp 10 (6) và 35 kV có thể được giảm xuống kích thước 'G' được chỉ định trong Bảng. 4.2.5. Đồng thời, trong mặt phẳng của hàng rào, khoảng cách từ thanh cái đến mép của hàng rào bên ngoài ít nhất phải bằng kích thước 'D' được chỉ định trong cùng một bảng.

Đối với các cửa hút gió đi qua các lối đi hoặc những nơi có thể đi lại, khoảng cách từ dây dưới đến mặt đất phải được thực hiện theo 2.5.111 và 2.5.112.

4.2.126. Để phục vụ MTP ở độ cao ít nhất 3 m, cần bố trí một bệ có lan can. Để leo lên trang web, nên sử dụng thang có thiết bị cấm leo lên thang khi thiết bị chuyển mạch được bật.

Đối với STP, thiết bị của bệ và cầu thang là không cần thiết.

4.2.127. Các bộ phận của MTP vẫn được cấp điện khi tắt thiết bị chuyển mạch phải nằm ngoài tầm với (1.7.70) từ cấp độ trang web. Vị trí bị vô hiệu hóa của thiết bị phải được nhìn thấy từ nền tảng.

4.2.128. Ở phía điện áp thấp của máy biến áp, nên lắp đặt một thiết bị cung cấp khả năng ngắt có thể nhìn thấy được.

4.2.129. Việc đấu dây trong MTP và STP giữa máy biến áp và tủ điện hạ thế, cũng như giữa tủ điện và đường dây trên không hạ áp, phải được bảo vệ khỏi hư hỏng cơ học và được thực hiện theo các yêu cầu nêu trong Ch. 2.1.

4.2.130. Đối với các trạm biến áp có công suất từ 0,25 MVA trở xuống không được chiếu sáng che chắn hạ thế. Đèn chiếu sáng và ổ cắm để bật các thiết bị xách tay, dụng cụ ở trạm biến áp có công suất lớn hơn 0,25 MVA phải được cấp điện áp không quá 25 V.

4.2.131. Theo điều kiện an toàn cháy nổ, các trạm biến áp phải được bố trí cách các tòa nhà cấp I, II, III ít nhất 3 m và cách các tòa nhà cấp IV và V ít nhất 5 m.

Nó cũng cần được hướng dẫn bởi các yêu cầu nêu trong 4.2.68.

Khoảng cách từ các tòa nhà dân cư đến các trạm biến áp tối thiểu phải là 10 m, với điều kiện đảm bảo mức áp suất âm thanh (tiếng ồn) bình thường có thể chấp nhận được.

4.2.132. Ở những nơi có thể va chạm với các phương tiện, các trạm biến áp phải được bảo vệ bằng các cọc.

Xem các bài viết khác razdela Quy tắc lắp đặt hệ thống điện (PUE).

Đọc và viết hữu ích bình luận về bài viết này.

<< Quay lại

Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất:

Một cách mới để kiểm soát và điều khiển tín hiệu quang 05.05.2024

Thế giới khoa học và công nghệ hiện đại đang phát triển nhanh chóng, hàng ngày các phương pháp và công nghệ mới xuất hiện mở ra những triển vọng mới cho chúng ta trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Một trong những đổi mới như vậy là sự phát triển của các nhà khoa học Đức về một phương pháp mới để điều khiển tín hiệu quang học, phương pháp này có thể dẫn đến tiến bộ đáng kể trong lĩnh vực quang tử học. Nghiên cứu gần đây đã cho phép các nhà khoa học Đức tạo ra một tấm sóng có thể điều chỉnh được bên trong ống dẫn sóng silica nung chảy. Phương pháp này dựa trên việc sử dụng lớp tinh thể lỏng, cho phép người ta thay đổi hiệu quả sự phân cực của ánh sáng truyền qua ống dẫn sóng. Bước đột phá công nghệ này mở ra triển vọng mới cho việc phát triển các thiết bị quang tử nhỏ gọn và hiệu quả có khả năng xử lý khối lượng dữ liệu lớn. Việc điều khiển phân cực quang điện được cung cấp bởi phương pháp mới có thể cung cấp cơ sở cho một loại thiết bị quang tử tích hợp mới. Điều này mở ra những cơ hội lớn cho ... >>

Bàn phím Primium Seneca 05.05.2024

Bàn phím là một phần không thể thiếu trong công việc máy tính hàng ngày của chúng ta. Tuy nhiên, một trong những vấn đề chính mà người dùng gặp phải là tiếng ồn, đặc biệt là ở các dòng máy cao cấp. Nhưng với bàn phím Seneca mới của Norbauer & Co, điều đó có thể thay đổi. Seneca không chỉ là một bàn phím, nó là kết quả của 5 năm phát triển để tạo ra một thiết bị lý tưởng. Mọi khía cạnh của bàn phím này, từ đặc tính âm thanh đến đặc tính cơ học, đều được xem xét và cân bằng cẩn thận. Một trong những tính năng chính của Seneca là bộ ổn định im lặng, giúp giải quyết vấn đề tiếng ồn thường gặp ở nhiều bàn phím. Ngoài ra, bàn phím còn hỗ trợ nhiều độ rộng phím khác nhau, thuận tiện cho mọi người dùng. Mặc dù Seneca vẫn chưa có sẵn để mua nhưng nó được lên kế hoạch phát hành vào cuối mùa hè. Seneca của Norbauer & Co đại diện cho các tiêu chuẩn mới trong thiết kế bàn phím. Cô ấy ... >>

Khai trương đài quan sát thiên văn cao nhất thế giới 04.05.2024

Khám phá không gian và những bí ẩn của nó là nhiệm vụ thu hút sự chú ý của các nhà thiên văn học từ khắp nơi trên thế giới. Trong bầu không khí trong lành của vùng núi cao, cách xa ô nhiễm ánh sáng thành phố, các ngôi sao và hành tinh tiết lộ bí mật của chúng một cách rõ ràng hơn. Một trang mới đang mở ra trong lịch sử thiên văn học với việc khai trương đài quan sát thiên văn cao nhất thế giới - Đài thiên văn Atacama của Đại học Tokyo. Đài quan sát Atacama nằm ở độ cao 5640 mét so với mực nước biển mở ra cơ hội mới cho các nhà thiên văn học trong việc nghiên cứu không gian. Địa điểm này đã trở thành vị trí cao nhất cho kính viễn vọng trên mặt đất, cung cấp cho các nhà nghiên cứu một công cụ độc đáo để nghiên cứu sóng hồng ngoại trong Vũ trụ. Mặc dù vị trí ở độ cao mang lại bầu trời trong xanh hơn và ít bị nhiễu từ khí quyển hơn, việc xây dựng đài quan sát trên núi cao đặt ra những khó khăn và thách thức to lớn. Tuy nhiên, bất chấp những khó khăn, đài quan sát mới mở ra triển vọng nghiên cứu rộng lớn cho các nhà thiên văn học. ... >>

Tin tức ngẫu nhiên từ Kho lưu trữ

Bảng điều khiển năng lượng mặt trời trên kính 24.10.2006

Các nhà khoa học Đức sẽ chế tạo pin mặt trời giá rẻ bằng cách trồng silicon trên thủy tinh.

Các nhà khoa học từ Viện Tăng trưởng Tinh thể (Đức), do Tiến sĩ Thorsten Boeck đứng đầu, cùng với công ty "BP Solar" đã bắt đầu một dự án kéo dài XNUMX năm để phát triển các màng mỏng silicon đa tinh thể với các hạt lớn trên thủy tinh.

Bản chất của ý tưởng là thế này. Giờ đây, chất nền cho pin mặt trời được chế tạo bằng cách cắt các tinh thể silicon đơn lẻ thành các tấm mỏng dày 0,45 mm. Một photon xuyên qua pin mặt trời đến độ sâu chỉ 0,02 mm.

Hóa ra là một lượng lớn silicon siêu tinh khiết đã bị lãng phí: một màng đơn tinh thể mỏng sẽ thực hiện công việc chuyển đổi ánh sáng thành điện năng không kém gì một tấm dày. Theo đó, giá sẽ thấp hơn nhiều. Than ôi, các màng silicon mỏng không phát triển dưới dạng đơn tinh thể. Ngược lại, chúng bao gồm các hạt nhỏ, làm giảm đáng kể hiệu suất của pin.

Để tăng kích thước của các hạt silicon được trồng trên một tấm thủy tinh (silicon oxide!), Các nhà khoa học Đức đã đề xuất một quy trình gồm hai giai đoạn. Đầu tiên, họ tạo ra một mạng lưới các hạt nhân silicon trên bề mặt kính với bước là 0 mm. Sau đó, những phôi này được biến thành các hạt chính thức.

Kết quả là tạo ra một màng silicon tinh khiết đa tinh thể liên tục dày 0,05 mm. Nó cũng sẽ là cơ sở cho các tấm pin mặt trời giá rẻ.

Tin tức thú vị khác:

▪ Kim loại lỏng ghi nhớ hình dạng ban đầu của nó

▪ Quần áo văng tung tóe từ vòi xịt

▪ Màn hình Ultra HD 3D của Toshiba không cần kính

▪ GPU 4K nhúng của AMD

▪ Máy phân tích tần số bộ đếm thời gian tốc độ cao PM6690

Nguồn cấp tin tức khoa học và công nghệ, điện tử mới

Tài liệu thú vị của Thư viện kỹ thuật miễn phí:

▪ phần trang web Thiết bị đo lường. Lựa chọn bài viết

▪ bài báo Chúng tôi sẽ không đứng ra trả giá. biểu hiện phổ biến

▪ bài báo Nhím có miễn dịch với nọc rắn không? đáp án chi tiết

▪ bài viết Rễ vàng Tây Ban Nha. Truyền thuyết, canh tác, phương pháp áp dụng

▪ bài báo Tiếp nhận KB trên máy dò. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

▪ bài viết Máy ion hóa không khí để bàn. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

Để lại bình luận của bạn về bài viết này:

Tất cả các ngôn ngữ của trang này

Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web