Bộ khuếch đại ăng-ten tiếng ồn thấp có thể điều chỉnh được. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện / Bộ khuếch đại ăng-ten

Bình luận bài viết

Bằng cách sử dụng bộ khuếch đại ăng-ten, bạn có thể cải thiện chất lượng thu sóng của các chương trình phát thanh và truyền hình ở ranh giới vùng thu sóng đáng tin cậy. Phiên bản của bộ khuếch đại như vậy được đề xuất trong bài viết có một lợi thế đáng kể - không chỉ điện áp cung cấp được cung cấp qua cáp tín hiệu mà còn đảm bảo việc điều chỉnh tần số hoạt động của thiết bị.

Để nâng cao chất lượng hình ảnh và âm thanh truyền hình hoặc âm thanh của các đài phát thanh, cần sử dụng ăng-ten định hướng cũng như bộ khuếch đại ăng-ten. Khi nhận được tín hiệu yếu từ trung tâm truyền hình ở xa và sự hiện diện của tín hiệu mạnh từ đài phát thanh hoặc truyền hình địa phương, điện thoại vô tuyến, v.v., bộ khuếch đại ăng-ten băng thông rộng thường không mang lại hiệu quả tích cực do tín hiệu của các thiết bị phát gần đó bị quá tải.

Trong trường hợp này, các bộ khuếch đại ăng-ten có chọn lọc sẽ giúp ích.

Để nhận tín hiệu từ nhiều kênh, bộ khuếch đại phải có khả năng điều chỉnh được. Tuy nhiên, khi các bộ khuếch đại như vậy được đặt gần ăng-ten, cần có một dây riêng để điều chỉnh, điều này về mặt cấu trúc không thuận tiện lắm. Trong bộ khuếch đại ăng-ten được đề xuất, việc điều chỉnh xảy ra khi điện áp cung cấp qua cáp giảm âm thay đổi.

Sơ đồ mạch của bộ khuếch đại được hiển thị trong Hình. 1. Nó cung cấp mức tăng phụ thuộc tần số từ 18 (50 MHz) đến 14 (230 MHz) dB. Nó sử dụng bóng bán dẫn hiệu ứng trường gali arsenide có độ ồn thấp, giúp đạt được độ nhạy cao. Mạch đầu vào, được hình thành bởi độ tự cảm của cuộn dây L1 và điện dung của biến tần, điốt và bóng bán dẫn, cung cấp lựa chọn tần số của tín hiệu và kết hợp trở kháng đầu vào cao của bóng bán dẫn với trở kháng đầu ra thấp của ăng-ten. Mạch được xây dựng lại bằng cách thay đổi điện dung của varicap khi điều chỉnh điện áp đặt vào nó.

Điện áp cung cấp bóng bán dẫn được ổn định bằng bộ ổn áp vi mạch DA1. Chế độ DC của bóng bán dẫn được thiết lập bởi các điện trở R2, R3. Để phù hợp với cáp giảm tốc, người ta sử dụng cuộn dây L2 có vòi. Điốt VD1, VD2, VD4, VD5 bảo vệ bóng bán dẫn khỏi sự cố bằng tín hiệu mạnh và nhiễu. Điện áp cung cấp được cung cấp cho bộ khuếch đại thông qua cáp giảm tốc thông qua cuộn cảm L3.

Để điều chỉnh bộ khuếch đại, điện áp quy định từ 7 đến 15 V được cung cấp từ nguồn điện ổn định đặt cạnh TV hoặc radio. Điện áp này được cung cấp cho bộ ổn định DA1 và thông qua diode zener VD6 đến varicap VD3. Khi điện áp nguồn là 7 V, dòng điện bắt đầu chạy qua diode zener VD3 và đặt điện áp khoảng 0,2 V vào biến tần. Trong trường hợp này, công suất của nó là tối đa và mạch được điều chỉnh về tần số điều chỉnh thấp hơn khoảng thời gian. Khi điện áp cung cấp trên varicap tăng lên, nó cũng tăng lên, điện dung của varicap giảm và tần số điều chỉnh của mạch đầu vào tăng lên.

Hệ số chồng chéo tần số của mạch đầu vào nhỏ hơn hai một chút. Điều này có nghĩa là bộ khuếch đại có thể được sử dụng để nhận tín hiệu truyền hình ở băng con MV1 (48...100 MHz) hoặc trong băng tần con MV2 (174...230 MHz), cũng như chỉ nhận các chương trình đài phát thanh ở VHF băng tần (65... 108 MHz). Để thực hiện việc này, hãy thay đổi các thông số của cuộn dây L1.

Bộ khuếch đại ăng-ten được cấp nguồn bởi thiết bị, sơ đồ được hiển thị trong Hình. 2. Nó được lắp ráp trên một bộ ổn định có thể điều chỉnh tích hợp. Điện áp ra của khối được thay đổi bởi điện trở R3. Thông qua cuộn cảm L1, nó đi đến ổ cắm XS1, nơi kết nối cáp giảm tốc từ bộ khuếch đại ăng-ten. Tín hiệu nhận được từ ổ cắm XS1 đi qua tụ điện C4 dọc theo cáp có phích cắm XP2. Nó được kết nối với đầu vào TV.

Ngoài các loại được chỉ ra trong sơ đồ, bộ khuếch đại còn sử dụng các bóng bán dẫn AP325A-2, AP331A-2 hoặc tương tự, các biến thể KV109A, KV109V, KV109G, KV122A, KV122B, KV122V, diode zener KS168A, điốt KD512A, KD514A. Nên sử dụng điện trở cỡ nhỏ: R1-4, R1-12 hoặc MLT. Tốt hơn là sử dụng tụ điện K10-17V không có khung hoặc tụ điện đóng gói cỡ nhỏ có dây dẫn có chiều dài tối thiểu.

Cuộn dây L2, L3 được quấn bằng dây PEV-2 0,12 trên vòng ferit K5x2x1,5 có độ thấm 600...2000. Cuộn dây L2 gồm 10 vòng xoắn thành hai dây (sau khi quấn, đầu dây này nối với đầu dây kia và thu được đầu cuối ở giữa), cuộn L3 - 15-20 vòng một dây. Cuộn dây L1 được quấn bằng dây PEV-2 0,9 trên trục gá có đường kính 5 mm. Nếu cuộn dây có 11,5 vòng (nhấn từ lượt thứ ba), khoảng điều chỉnh là 48...92 MHz, nếu 6,5 vòng (nhấn từ lượt thứ hai) - khoảng thời gian là 65...110 MHz và nếu 3,5 vòng (chạm từ 0,3...0,5 của lượt đầu tiên) - 150...230 MHz. Để dịch chuyển một chút khoảng điều chỉnh về phía tần số cao hơn, hãy di chuyển cuộn dây hơi lệch ra một chút.

Trong bộ nguồn, bạn có thể sử dụng tụ điện phân cực dòng K50, tụ điện không phân cực K10-17, KD hoặc KT, điện trở thay đổi - SPO, SP4, MLT không đổi, S2-33. Cuộn cảm L1 tương tự như cuộn cảm L3 trong ampli. Máy biến áp phải cung cấp điện áp xoay chiều trên cuộn thứ cấp khoảng 15 V.

Việc thiết lập bộ khuếch đại bao gồm việc thiết lập khoảng điều chỉnh cần thiết bằng cách chọn số vòng của cuộn dây L1 và băng thông ít nhất là 7 MHz bằng cách thay đổi vị trí vòi. Trong nguồn điện, bằng cách chọn điện trở R2 và R3, khoảng thời gian cần thiết để thay đổi điện áp đầu ra được đặt. Khi bộ khuếch đại tự kích thích ở tần số cao, bạn cần đặt một vòng ferit (“hạt”) trên cực thoát của bóng bán dẫn hoặc bôi một chế phẩm kết dính (dựa trên keo epoxy) chứa đầy sắt cacbonyl dạng bột.

Tất cả các bộ phận của bộ khuếch đại được đặt trên một bảng mạch in làm bằng sợi thủy tinh lá hai mặt. Vị trí của dây dẫn in được thể hiện trong hình. 3. Mặt thứ hai của bảng được mạ kim loại, ngoại trừ các phần cắt của miếng đệm đầu vào và đầu ra được biểu thị bằng đường đứt nét và được kết nối bằng giấy bạc với dây chung của mặt thứ nhất dọc theo toàn bộ mạch. Sau khi lắp đặt và điều chỉnh, bóng bán dẫn hiệu ứng trường được đổ đầy một giọt keo epoxy, bo mạch được đóng lại ở các bộ phận bằng nắp màn hình kim loại và thiết bị được phủ một lớp bảo vệ bằng sơn chống thấm hoặc vecni ở tất cả các mặt.

Các bộ phận cấp nguồn được lắp đặt trên một bảng mạch in làm bằng sợi thủy tinh phủ giấy bạc một mặt, các dây dẫn được in như trong Hình 4. XNUMX.

Bộ khuếch đại có thể được chuyển đổi, do đó bạn cần thêm hai rơle vào nó, bật chúng theo sơ đồ trong Hình. 5, khi tắt điện áp nguồn, ăng-ten sẽ được kết nối trực tiếp với cáp giảm tốc, bỏ qua bộ khuếch đại. Để làm điều này, bạn có thể sử dụng rơle RES-34, RES-43 với điện áp hoạt động khoảng 6 V. Kích thước của bảng sẽ phải tăng lên và cách đấu dây của dây dẫn sẽ phải thay đổi một chút.

Tác giả: I.Nechaev

Xem các bài viết khác razdela Bộ khuếch đại ăng-ten.

Đọc và viết hữu ích bình luận về bài viết này.

<< Quay lại

Tin tức khoa học công nghệ, điện tử mới nhất:

Máy tỉa hoa trong vườn 02.05.2024

Trong nền nông nghiệp hiện đại, tiến bộ công nghệ đang phát triển nhằm nâng cao hiệu quả của quá trình chăm sóc cây trồng. Máy tỉa thưa hoa Florix cải tiến đã được giới thiệu tại Ý, được thiết kế để tối ưu hóa giai đoạn thu hoạch. Công cụ này được trang bị cánh tay di động, cho phép nó dễ dàng thích ứng với nhu cầu của khu vườn. Người vận hành có thể điều chỉnh tốc độ của các dây mỏng bằng cách điều khiển chúng từ cabin máy kéo bằng cần điều khiển. Cách tiếp cận này làm tăng đáng kể hiệu quả của quá trình tỉa thưa hoa, mang lại khả năng điều chỉnh riêng cho từng điều kiện cụ thể của khu vườn, cũng như sự đa dạng và loại trái cây được trồng trong đó. Sau hai năm thử nghiệm máy Florix trên nhiều loại trái cây khác nhau, kết quả rất đáng khích lệ. Những nông dân như Filiberto Montanari, người đã sử dụng máy Florix trong vài năm, đã báo cáo rằng thời gian và công sức cần thiết để tỉa hoa đã giảm đáng kể. ... >>

Kính hiển vi hồng ngoại tiên tiến 02.05.2024

Kính hiển vi đóng vai trò quan trọng trong nghiên cứu khoa học, cho phép các nhà khoa học đi sâu vào các cấu trúc và quá trình mà mắt thường không nhìn thấy được. Tuy nhiên, các phương pháp kính hiển vi khác nhau đều có những hạn chế, trong đó có hạn chế về độ phân giải khi sử dụng dải hồng ngoại. Nhưng những thành tựu mới nhất của các nhà nghiên cứu Nhật Bản tại Đại học Tokyo đã mở ra những triển vọng mới cho việc nghiên cứu thế giới vi mô. Các nhà khoa học từ Đại học Tokyo vừa công bố một loại kính hiển vi mới sẽ cách mạng hóa khả năng của kính hiển vi hồng ngoại. Thiết bị tiên tiến này cho phép bạn nhìn thấy cấu trúc bên trong của vi khuẩn sống với độ rõ nét đáng kinh ngạc ở quy mô nanomet. Thông thường, kính hiển vi hồng ngoại trung bị hạn chế bởi độ phân giải thấp, nhưng sự phát triển mới nhất của các nhà nghiên cứu Nhật Bản đã khắc phục được những hạn chế này. Theo các nhà khoa học, kính hiển vi được phát triển cho phép tạo ra hình ảnh có độ phân giải lên tới 120 nanomet, cao gấp 30 lần độ phân giải của kính hiển vi truyền thống. ... >>

Bẫy không khí cho côn trùng 01.05.2024

Nông nghiệp là một trong những lĩnh vực quan trọng của nền kinh tế và kiểm soát dịch hại là một phần không thể thiếu trong quá trình này. Một nhóm các nhà khoa học từ Viện nghiên cứu khoai tây trung tâm-Hội đồng nghiên cứu nông nghiệp Ấn Độ (ICAR-CPRI), Shimla, đã đưa ra một giải pháp sáng tạo cho vấn đề này - bẫy không khí côn trùng chạy bằng năng lượng gió. Thiết bị này giải quyết những thiếu sót của các phương pháp kiểm soát sinh vật gây hại truyền thống bằng cách cung cấp dữ liệu về số lượng côn trùng theo thời gian thực. Bẫy được cung cấp năng lượng hoàn toàn bằng năng lượng gió, khiến nó trở thành một giải pháp thân thiện với môi trường và không cần điện. Thiết kế độc đáo của nó cho phép giám sát cả côn trùng có hại và có ích, cung cấp cái nhìn tổng quan đầy đủ về quần thể ở bất kỳ khu vực nông nghiệp nào. Kapil cho biết: “Bằng cách đánh giá các loài gây hại mục tiêu vào đúng thời điểm, chúng tôi có thể thực hiện các biện pháp cần thiết để kiểm soát cả sâu bệnh và dịch bệnh”. ... >>

Tin tức ngẫu nhiên từ Kho lưu trữ SRAM Chips Renesas RMLV0816B và RMLV0808B với độ cứng bức xạ cao 21.12.2014 Renesas Electronics đã công bố phát hành năm chip bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh công suất thấp (Advanced LP SRAM) mới trong dòng RMLV0816B và RMLV0808B. Chúng có mật độ 8 Mbit và được sản xuất theo tiêu chuẩn 110 nm. Tại sao lại sử dụng một quy trình kỹ thuật "thô" như vậy, khi các vi mạch cho điện tử di động từ lâu đã được sản xuất theo các tiêu chuẩn tốt hơn nhiều? Vấn đề là bằng cách tăng các nguyên tố, có thể tăng khả năng chống bức xạ. Theo nhà sản xuất, các lỗi đơn lẻ (Soft Error hoặc Single-Event Upset, SEU) và bóng bán dẫn bị lỗi (Latch-up) được loại trừ trong bộ nhớ mới. Nguyên nhân của các lỗi đơn lẻ là xung dòng điện xảy ra khi một ion xâm nhập vào tế bào. Nó đặt tế bào ở trạng thái ngược lại, nhưng mạch vẫn ở trạng thái khỏe mạnh. Vì kích thước của bóng bán dẫn trong các chip mới tương đối lớn, việc chuyển mạch đòi hỏi một lượng điện tích lớn đến mức xác suất hỏng hóc có xu hướng bằng không. Ngoài ra, một tụ điện đặc biệt được đưa vào mạch tế bào. Không giống như sửa lỗi ECC, cách tiếp cận này ngăn nhiều lỗi xảy ra cùng một lúc. Theo Renesas, việc sử dụng kỹ thuật này và các kỹ thuật khác đã làm cho nó có thể đạt được mức độ kháng bức xạ tương tự như trong trường hợp của microcircuits được sản xuất theo tiêu chuẩn 150 nm. Còn hiện tượng chốt bóng bán dẫn là do xung dòng điện cảm ứng ion, dẫn đến hở mạch giống như thyristor hình thành do cấu trúc ký sinh từ các cặp bóng bán dẫn khác loại. Kết quả của việc chốt lại, dòng điện qua các bóng bán dẫn tăng ngay cả sau khi ngừng tiếp xúc với ion, điều này có thể dẫn đến quá nhiệt và hỏng vi mạch. Trong bộ nhớ mới, chỉ có bóng bán dẫn kênh n được hình thành trên chất nền đơn tinh thể và bóng bán dẫn kênh p được hình thành dưới dạng bóng bán dẫn màng mỏng sử dụng silicon đa tinh thể, giúp loại bỏ sự hình thành thyristor từ các cấu trúc ký sinh và về cơ bản loại bỏ nguy cơ của bóng bán dẫn snapping. Đồng thời, điều này có thể làm giảm diện tích ô và kích thước của tinh thể, đưa các chỉ số này gần hơn với các chỉ số của bộ nhớ được sản xuất theo tiêu chuẩn 65 nm. Mức tiêu thụ dòng điện ở chế độ chờ nhỏ hơn 2µA ở 25 ° C, làm cho các chip phù hợp để lưu trữ dữ liệu trong các thiết bị được hỗ trợ bằng pin. Renesas có kế hoạch phát hành bộ nhớ như vậy với mật độ 16 Mbps.

Tin tức thú vị khác:

▪ Bộ thu phát Maxim RS-485 / RS-422 MAX33072E / MAX33073E

▪ Điện cực đặc biệt để hoạt động pin trong thời tiết lạnh

▪ Tổng hợp gốm sứ

▪ Nền tảng thiết kế cho chip điện tử ô tô 7nm

▪ Lạc quan không có từ khi sinh ra

Nguồn cấp tin tức khoa học và công nghệ, điện tử mới

Tài liệu thú vị của Thư viện kỹ thuật miễn phí:

▪ phần của trang Những câu chuyện từ cuộc đời của những người nghiệp dư trên đài. Lựa chọn bài viết

▪ Bài báo điện báo. Lịch sử phát minh và sản xuất

▪ bài viết Tầm quan trọng của neutrino từ quan điểm của vật lý thiên văn là gì? đáp án chi tiết

▪ bài báo cỏ Bermuda. Truyền thuyết, canh tác, phương pháp áp dụng

▪ bài viết Cảm biến điện dung. Bách khoa toàn thư về điện tử vô tuyến và kỹ thuật điện

▪ bài báo Chuyển động kỳ diệu của đồng xu. bí mật tập trung

Để lại bình luận của bạn về bài viết này:

Tất cả các ngôn ngữ của trang này

Arabic	Hebrew	Polish
Bengali	Hindi	Portuguese
Chinese	Italian	Spanish
English	Japanese	Turkish
French	Korean	Ukrainian
German	Malay	Vietnamese

Trang chủ | Thư viện | bài viết | Sơ đồ trang web | Đánh giá trang web

www.diagram.com.ua
2000-2024